[发明专利]具有低电压开关的多模式可配置的收发器有效

专利信息
申请号: 202010220194.1 申请日: 2018-08-13
公开(公告)号: CN111404577B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 艾哈迈德·埃米拉;拉米·哈提卜;贾纳肯·西瓦苏布拉马尼亚姆;杰瑞德·加涅 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: H04B1/401 分类号: H04B1/401;H04B1/44
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 具有 电压 开关 模式 配置 收发
【权利要求书】:

1.一种收发器,包括:

接收路径,包括低噪声放大器和耦合在所述低噪声放大器和地电位之间的第一开关;

第一发射路径,包括低功率放大器和耦合在所述低功率放大器和主信号路径之间的第二开关;以及

第二发射路径,包括高功率放大器和耦合在所述主信号路径和所述地电位之间的第三开关;

其中当所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关中的每一个均处于断开位置时,所述接收路径是活动的,

其中当所述第一开关处于闭合位置、所述第二开关处于闭合位置、所述第三开关处于断开位置时,所述第一发射路径是活动的,并且

其中在所述第一开关处于闭合位置、所述第三开关处于闭合位置,所述第二开关处于断开位置时,所述第二发射路径是活动的,

其中,所述第一开关和所述第三开关分别是低压n型场效应晶体管,所述第二开关是高压n型场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的收发器,还包括:

第一电容器,耦合在所述第一开关和所述地电位之间;

第二电容器,耦合在所述主信号路径和所述低噪声放大器之间;以及

第三电容器,耦合在所述第二开关和所述主信号路径之间。

3.根据权利要求2所述的收发器,还包括:

第一直流DC偏置电路,所述第一DC偏置电路与所述第一电容器相耦合,并被配置为向所述低噪声放大器提供第一DC偏置电压;以及

第二DC偏置电路,所述第二DC偏置电路与所述第二开关相耦合,并被配置为向所述低功率放大器的输出提供第二DC偏置电压。

4.根据权利要求1所述的收发器,还包括:

逻辑电路,所述逻辑电路被配置为产生多个控制信号,用于根据所述收发器的操作模式将所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关设置在相应的闭合位置和断开位置。

5.根据权利要求4所述的收发器,还包括:

第一供电电压,所述第一供电电压与所述接收路径相耦合;

第二供电电压,所述第二供电电压与所述第一发射路径相耦合;

第三供电电压,所述第三供电电压与所述第二发射路径相耦合;以及

第四供电电压,所述第四供电电压与所述逻辑电路相耦合,

其中所述第四供电电压低于所述第一供电电压,所述第一供电电压低于所述第二供电电压,所述第二供电电压低于所述第三供电电压。

6.根据权利要求5所述的收发器,还包括:

第一供电开关,被配置为向所述接收路径提供所述第一供电电压;

第二供电开关,被配置为向所述第一发射路径提供所述第二供电电压;以及

第三供电开关,被配置为向所述第二发射路径提供所述第三供电电压。

7.根据权利要求1所述的收发器,其中,所述第二发射路径还包括:

平衡-不平衡变换器,所述平衡-不平衡变换器包括初级绕组和次级绕组,所述初级绕组与所述高功率放大器相耦合,所述次级绕组具有与所述主信号路径相耦合的第一端以及通过所述第三开关与所述地电位相耦合的第二端。

8.根据权利要求7所述的收发器,其中,所述初级绕组包括抽头,所述抽头与所述高功率放大器的电源电压相耦合。

9.根据权利要求1所述的收发器,还包括:匹配电感器,耦合在所述主信号路径和所述接收路径之间。

10.根据权利要求9所述的收发器,其中,所述匹配电感器是设置在所述第二发射路径中的平衡-不平衡变换器的一部分。

11.根据权利要求1所述的收发器,其中,所述第一开关和所述第三开关中的每一个是在所述收发器的核心区域中的场效应晶体管,所述第二开关是在所述收发器的输入/输出区域中的场效应晶体管。

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