[发明专利]包括混合像素的深度传感器在审

专利信息
申请号: 202010221083.2 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN112083439A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 金永燦;陈暎究;林茂燮;权容铉 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01S17/894 分类号: G01S17/894
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 杨姗
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 混合 像素 深度 传感器
【权利要求书】:

1.一种深度传感器,包括像素,所述像素包括:

光电晶体管;

第一转移晶体管,连接到所述光电晶体管;

第一浮动扩散区域,连接到所述第一转移晶体管;

第二转移晶体管,连接到所述光电晶体管;

存储元件,连接到所述第二转移晶体管;

第三转移晶体管,连接到所述存储元件;以及

第二浮动扩散区域,连接到所述第三转移晶体管。

2.根据权利要求1所述的深度传感器,其中在所述光电晶体管对电荷进行积分的积分时段期间,所述深度传感器被配置为选择所述第一转移晶体管和第二转移晶体管中的一个转移晶体管,并且所述深度传感器被配置为不选择所述第一转移晶体管和第二晶体管中的另一个转移晶体管。

3.根据权利要求1所述的深度传感器,其中所述像素还包括:

第一读出电路,包括第一复位晶体管、第一源极跟随器晶体管和第一选择晶体管,所述第一复位晶体管和所述第一源极跟随器晶体管连接到所述第一浮动扩散区域,并且所述第一选择晶体管连接到所述第一源极跟随器晶体管;以及

第二读出电路,包括第二复位晶体管、第二源极跟随器晶体管和第二选择晶体管,所述第二复位晶体管和所述第二源极跟随器晶体管连接到所述第二浮动扩散区域,并且所述第二选择晶体管连接到所述第二源极跟随器晶体管。

4.根据权利要求3所述的深度传感器,其中在所述光电晶体管对电荷进行积分的积分时段期间,所述深度传感器被配置为选择所述第一转移晶体管,而所述深度传感器被配置为不选择所述第二转移晶体管,并且

其中所述第一读出电路被配置为:

在所述积分时段之后,输出与所述第一浮动扩散区域的第一电压电平相对应的第一输出信号;以及

输出与在所述积分时段之前复位的所述第一浮动扩散区域的第二电压电平相对应的第二输出信号,或者输出与在输出所述第一输出信号之后复位的所述第一浮动扩散区域的第三电压电平相对应的第三输出信号。

5.根据权利要求3所述的深度传感器,其中在所述光电晶体管对电荷进行积分的积分时段期间,响应于选择了所述第二转移晶体管而没有选择所述第一转移晶体管,所述第二读出电路被配置为:

在所述积分时段之后,输出与所述第二浮动扩散区域的第一电压电平相对应的第一输出信号;以及

在输出所述第一输出信号之后,输出与所述第二浮动扩散区域的第二电压电平相对应的第二输出信号,使得所述第三转移晶体管然后导通并且所述第三转移晶体管然后关断。

6.根据权利要求1所述的深度传感器,其中所述第一浮动扩散区域与所述第二浮动扩散区域电连接。

7.根据权利要求6所述的深度传感器,其中所述像素还包括读出电路,所述读出电路包括:

复位晶体管;

源极跟随器晶体管,连接到所述第一浮动扩散区域和所述第二浮动扩散区域;以及

选择晶体管,连接到所述源极跟随器晶体管。

8.根据权利要求1所述的深度传感器,其中所述像素包括第一像素,所述光电晶体管包括第一光电晶体管,并且所述存储元件包括第一存储元件,

其中所述深度传感器还包括与所述第一像素相邻的第二像素,所述第二像素包括:

第二光电晶体管;

第四转移晶体管,连接到所述第二光电晶体管;

第三浮动扩散区域,连接到所述第四转移晶体管;

第五转移晶体管,连接到所述第二光电晶体管;

第二存储元件,连接到所述第五转移晶体管;

第六转移晶体管,连接到所述第二存储元件;以及

第四浮动扩散区域,连接到所述第六转移晶体管,并且

其中所述第一像素的所述第二浮动扩散区域与所述第二像素的所述第三浮动扩散区域电连接。

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