[发明专利]一种钕铁硼表面处理技术在审
| 申请号： | 202010221784.6 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111354561A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 褚文表;李元柏;陆军民;朱顺昌 | 申请（专利权）人： | 余姚市宏伟磁材科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C09D183/06;C09D5/08;C09D7/61 |
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| 地址： | 315400 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 表面 处理 技术 | ||
1.一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，包括如下步骤：
S01、初级清理：对钕铁硼磁体表面的污迹进行处理，保证钕铁硼磁体表面的干净；
S02、表面活化：通过等离子活化技术对钕铁硼表面进行活化处理；
S03、表面成膜：利用沉浸法在钕铁硼磁体表面制备硅烷转化膜。
2.根据权利要求1所述的一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，所述步骤S03中，沉浸法沉浸的镀液包括如下重量份材料：乙醇16-24份，硅烷偶联剂4-6份，六偏磷酸钠1-2份，肌醇六磷酸1-2份，水4-6份。
3.根据权利要求2所述的一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，所述步骤S03中，硅烷偶联剂为硅烷偶联剂KH560。
4.根据权利要求2所述的一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，所述步骤S03中，硅烷偶联剂的浓度为140ml/L-160ml/L。
5.根据权利要求2所述的一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，所述步骤S03中，添加步骤S031,钕铁硼磁体浸润在镀液中的时间为100S-140S。
6.根据权利要求5所述的一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，所述步骤S03中，添加步骤S032,钕铁硼磁体浸润结束后，在温度为75℃-85℃，时间为14min-16min的条件下进行烘烤。
7.根据权利要求6所述的一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，所述步骤S03中，添加步骤S033,钕铁硼磁体烘烤结束后，在温度175℃-185℃，时间为80min-100min的条件下进行固化。
8.根据权利要求2所述的一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，所述沉浸法沉浸的镀液还添加纳米CeO2颗粒进行改性处理。
9.根据权利要求2所述的一种钕铁硼表面处理技术，其特征在于，所述乙醇与水的比例为80∶20。
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