[发明专利]一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器有效

专利信息
申请号: 202010222267.0 申请日: 2020-03-26
公开(公告)号: CN111403861B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 董元旦;朱谊龙 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/208
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 李蕊
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 uir 加载 三阶双通带基片 集成 波导 滤波器
【说明书】:

发明提供了一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器,包括一个基片集成波导谐振腔、两个位于输入输出端口的UIR谐振器以及位于输入输出端口的微带线馈电结构,微带线馈电结构与UIR谐振器连接,两个UIR谐振器对称地置于基片集成波导谐振腔的两侧。本发明实现了三阶的双通带滤波响应,在两个通带内分别形成三个传输极点,本发明的高阶滤波器具有陡峭的边带衰减与更高的带外抑制性能。

技术领域

本发明属于通信技术领域,尤其涉及一种UIR加载的双通带基片集成波导滤波器。

背景技术

随着现代无线通信技术的急速发展,尤其以5G通信、物联网设备、航空航天为代表的无线通信领域,具有高性能、多功能、集成性、小型化的射频前端系统必将是未来的发展趋势,其中,滤波器作为重要的前端部件,其性能直接决定了整个系统通信质量的优劣。目前,微波滤波器一个重要的研究方向是双通带或者多通带的设计,以满足一些高性能、多频带的通信设备,并且随着通信技术的进一步发展,对于双通带滤波器的需求将会进一步增加,对其性能也会提出更高的要求。

目前,双通带滤波器的设计方法主要包括:1)结合两个不同频带的滤波器,以构成双通带滤波器;2)利用多模谐振器的两个谐振模式,分别形成两个通带;3)结合一个宽带滤波器与一个带阻滤波器,在通带中形成一个陷波以形成两个通带。第一种方法是设计双通带滤波器最直接也最简单的方法,其优点是设计自由度高,双通带频率、带宽等参数能比较容易控制,但不足是滤波器尺寸大。第二种利用多模谐振器设计双通带滤波器,其优势是设计尺寸小,缺点是两个通带频率不易控制,谐振器之间的耦合也难以单独调谐。第三种方法是一种非常直接的滤波器设计方法,但一般用得较少,其缺点是滤波器的频率与带宽不易控制。此外,由于设计高阶滤波器非常复杂,目前大多数双通带滤波器是二阶的,难以实现较高的带外抑制度。

发明内容

针对现有技术中的上述不足,本发明提供的一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器,实现了三阶的双通带滤波响应,具有陡峭的边带衰减与更高的带外抑制性能。

为了达到以上目的,本发明采用的技术方案为:

本方案提供一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器,包括一个基片集成波导谐振腔、两个位于滤波器输入输出端口的UIR谐振器以及位于输入输出端口的微带线馈电结构,所述微带线馈电结构与所述UIR谐振器连接,两个所述UIR谐振器对称地置于基片集成波导谐振腔的两侧;

本发明的有益效果是:本发明结合了基片集成波导与微带线技术,将基于微带线技术的UIR谐振器置于输入输出端口,由于UIR谐振器本身的小型化特征,使得整个滤波器具有非常紧凑的尺寸。本发明通过以上设计实现了三阶的双通带滤波响应,在两个通带内分别形成三个传输极点,这种高阶的滤波器具有陡峭的边带衰减与更高的带外抑制性能。

进一步地,所述基片集成波导谐振腔为由金属化过孔包围形成的矩形谐振腔,且所述矩形谐振腔的TE101模和TE201模分别形成两个通带,其中,相邻两个所述金属化过孔的大小与间距均保持一致。

上述进一步方案的有益效果是:本发明利用基片集成波导的多模谐振特性,分别采用TE101模和TE201模形成两个通带,这种一腔双模的双通带滤波器设计方法可以减少谐振腔的使用数量,从而能明显缩小滤波器尺寸。

再进一步地,所述UIR谐振器由两个电长度不同的终端开口的圆环构成,其中,上圆环的电长度长于下圆环的电长度,且所述上下两个圆环的谐振频率分别与TE101模和TE201模的频率一致。

上述进一步方案的有益效果是:两个UIR谐振器与基片集成波导谐振腔构成三阶的滤波器,具有更高的带外抑制性能,构成的滤波器尺寸相对较小,此外,UIR谐振器自身能形成一个非谐振节点,由于电磁信号在UIR谐振的传输与反射作用,在两个通带右侧能分别形成一个传输零点,从而提高滤波器的选择性与带外抑制性能。

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