[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极结构、第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构的侧壁，所述第二侧墙位于所述第一侧墙的侧壁；

以所述第一侧墙和第二侧墙为掩膜，在所述栅极结构两侧的衬底内分别形成源漏开口；

在形成所述源漏开口之后，去除所述第二侧墙；

在去除所述第二侧墙之后，对所述源漏开口进行离子注入，在所述源漏开口侧壁和底部的衬底内形成抑制层，所述抑制层内掺杂有第一离子；

在形成所述抑制层之后，在所述源漏开口内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层内具有第二离子，所述第一离子与所述第二离子的导电类型相同，且所述第一离子的原子序数大于所述第二离子的原子序数。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏开口的侧壁向朝向所述栅极结构的和远离所述栅极结构的方向凹陷。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成源漏开口的工艺包括湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或多种组合。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述抑制层之后，且在形成所述源漏掺杂层之前，还包括：对所述源漏开口进行侧壁回流退火处理。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧壁回流退火处理的温度为700℃～800℃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的若干相互分立的鳍部，所述栅极结构、第一侧墙和第二侧墙横跨所述鳍部，且所述栅极结构、第一侧墙和第二侧墙覆盖所述鳍部的部分顶部与侧壁表面。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子和第二离子为N型离子；所述第一离子为砷离子，且所述第二离子为磷离子。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子和第二离子为P型离子；所述第一离子为铟离子，且所述第二离子为硼离子。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子的注入角度为10°～15°，所述注入角度为注入方向与所述栅极结构侧壁之间的角度。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子的注入剂量为1E19atom/cm³～1E21atom/cm³。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁表面，所述栅极结构、第一侧墙和第二侧墙位于所述隔离结构上。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙与所述第二侧墙的形成方法包括：在所述栅极结构的侧壁和顶部表面、以及所述隔离结构的顶部表面形成第一侧墙材料层；回刻蚀所述栅极结构顶部表面和所述隔离结构顶部表面的所述第一侧墙材料层，直至暴露出所述栅极结构的顶部表面和所述隔离结构地顶部表面为止，形成所述第一侧墙；在所述栅极结构和隔离结构的顶部表面、以及所述第一侧墙的侧壁形成第二侧墙材料层；回刻蚀所述栅极结构顶部表面和所述隔离结构顶部表面的所述第二侧墙材料层，直至暴露出所述栅极结构顶部表面和所述隔离结构顶部表面为止，形成所述第二侧墙。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙材料层和所述第二侧墙材料层的形成工艺包括原子层沉积工艺。