[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置

说明书

本发明的薄膜晶体管的上部绝缘层包含：第一边缘区域，其位于栅极电极的第一侧面部的附近，且其距氧化物半导体层的上表面的高度小于栅极电极的上表面的高度；以及第二边缘区域，其位于栅极电极的第二侧面部的附近，且其距氧化物半导体层的上表面的高度小于栅极电极的上表面的高度，上部绝缘层具有多孔质绝缘体层，多孔质绝缘体层包含有配置于第一边缘区域的第一部分和配置于第二边缘区域的第二部分，多孔质绝缘体层的第一部分与氧化物半导体层的第一区域的至少一部分接触，多孔质绝缘体层的第二部分与氧化物半导体层的第二区域的至少一部分接触。

技术领域

本发明是涉及薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置。

背景技术

有源矩阵基板用于例如液晶显示装置、有机EL(电致发光，ElectroLuminescence)显示装置和微型LED(发光二极管，Light Emitting Diode)显示装置等的显示装置。微型LED显示装置是二维排列有由无机化合物制成的多个发光二极管(LED)的显示装置。

在有源矩阵基板的每个像素中，配置有包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下称为“TFT”)的电路(称为“像素电路”)。在微型LED显示装置、有机EL显示装置等的电流驱动式显示装置中，例如，与每个像素相对应地配置有发光亮度根据电流而变化的发光元件(LED、有机EL元件等)。提供给每个像素的发光元件的电流由像素电路控制。

此外，在有源矩阵基板中，存在单片化地形成驱动电路等的周边电路的情况。TFT也作为周边电路的电路元件而使用。

在本说明书中，将用于像素电路的TFT称为“像素电路TFT”，并且将构成周边电路的TFT称为“周边电路TFT”。

作为在有源矩阵基板中使用的TFT，以往广泛使用将非晶硅膜(以下，简称为“a-Si膜”)作为活性层的非晶硅TFT以及将多晶硅(polysilicon)膜(以下称为“poly-Si膜”)作为活性层的多晶硅TFT等。代替这些硅TFT，有时也使用使用了In-Ga-Zn-O系半导体等的氧化物半导体的TFT(以下称为“氧化物半导体TFT”。)。

例如，专利文献1和专利文献2公开了具有顶栅结构的氧化物半导体TFT被用作像素电路TFT。在专利文献1中提出了通过使用自对准技术使栅极电极与源极电极和漏极电极配置为不重叠来减小氧化物半导体TFT的寄生电容。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015-056566号公报

专利文献2:日本特开2011-187506号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

有时需要使像素电路、周边电路中使用的TFT进一步减小寄生电容。

例如，在电流驱动式显示装置中，如果像素电路TFT的寄生电容大，则当像素电路TFT从导通切换为截止时，寄生电容中存储的电荷被提供给将要截止的发光元件。其结果是，将要截止的发光元件的发光工作持续一段时间，这可能导致称为“影像重影故障”的显示不良。

此外，如果构成周边电路的周边电路TFT的寄生电容大，则有可能引起周边电路的工作速度降低、功耗增加等。

然而，经本发明人研究发现，难以进一步减小以往的TFT结构(例如，专利文献1和2)中的寄生电容。

本发明的一实施方式是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种能够减小寄生电容的氧化物半导体TFT、其制造方法以及具备这种氧化物半导体TFT的显示装置。

解决问题的方案

[项目1]一种薄膜晶体管,包括：

基板；