[发明专利]基于磁谐振的无线充电方法

权利要求书

1.一种基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，包括如下步骤：

S101、制备超表面，并将所述超表面组成多个单元介质柱依次排列在承托载体上；

S102、分别一一计算所述超表面对应不同晶格常数的谐振频率，并分别计算所述超表面不同的各所述晶格常数分别对应的磁场分布情况；

S103、将发射装置进行通电处理，以使激励源产生交变磁场；

S104、将接收装置放置在所述超表面的中央，对准所述超表面最中间的单元，以将交变磁场转化为交流电，供负载使用；

S105、根据预设频率参数，以使所述交变磁场激励所述超表面工作在连续区束缚态模式，进而使所述交变磁场的磁场强度增强。

2.根据权利要求1所述的基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，所述承托载体上开设有多个横向安装位及多个纵向安装位，所述横向安装位的数量与所述纵向安装位的数量相同。

3.根据权利要求2所述的基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，各所述单元介质柱分别设置在各所述横向安装位及各所述纵向安装位内。

4.根据权利要求1所述的基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，所述激励源为线圈。

5.根据权利要求1所述的基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，所述发射装置包括信号发生器及功率放大器，信号发生器用于产生高频交流电，功率放大器用于将交流电进行功率放大输出。

6.根据权利要求1所述的基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，所述单元介质柱为氧化物陶瓷。

7.根据权利要求1所述的基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，所述单元介质柱具有圆柱形横截面。

8.根据权利要求1所述的基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，在所述步骤S105后，还包括如下步骤：

S106、调节所述超表面的所述晶格常数至所述超表面磁场均匀分布时对应的所述晶格常数，同时调节频率参数至该所述晶格常数对应的谐振频率，将多个接收终端分别一一对应放置在各所述单元介质柱上，以进行充电操作。

9.根据权利要求1所述的基于磁谐振的无线充电方法，其特征在于，所述预设频率参数为6.45GHz。