[发明专利]分离探测器混成芯片的工装、制备方法、分离方法有效
申请号: | 202010225130.0 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111341886B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 黄婷;李海燕 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G01J1/44 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 张然 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 分离 探测器 混成 芯片 工装 制备 方法 | ||
1.一种分离探测器混成芯片的工装,其特征在于,包括:
透明基底,包括第一区域、第二区域和其他区域,所述第一区域和所述第二区域相对且间隔排布;
透明胶层,设于所述第一区域,所述透明胶层用于粘接所述探测器混成芯片的光敏芯片;
金属薄膜,设于所述其他区域;
所述第一区域位于所述透明基底一侧的中心区域;所述第二区域位于所述透明基底另一侧的中心区域;
所述第二区域的形状与所述第一区域的形状相同,所述第二区域的面积与所述第一区域的面积相同;
所述透明胶层覆盖所述第一区域;
所述金属薄膜覆盖所述其他区域。
2.如权利要求1所述的工装,其特征在于,所述透明基底为玻片或宝石片。
3.如权利要求1所述的工装,其特征在于,所述第一区域的面积小于所述探测器混成芯片中光敏芯片的表面积。
4.一种分离探测器混成芯片的工装的制备方法,其特征在于,包括:
将透明基底的外表面划分为第一区域、第二区域和其他区域,其中,所述第一区域和所述第二区域相对且间隔排布;
在所述其他区域镀金属薄膜;
在所述第一区域涂覆透明胶层;所述透明胶层用于粘接所述探测器混成芯片的光敏芯片;
其中,所述第一区域位于所述透明基底一侧的中心区域;所述第二区域位于所述透明基底另一侧的中心区域;
所述第二区域的形状与所述第一区域的形状相同,所述第二区域的面积与所述第一区域的面积相同;
所述透明胶层覆盖所述第一区域;
所述金属薄膜覆盖所述其他区域。
5.一种探测器混成芯片分离方法,其特征在于,包括:
根据权利要求4所述的分离探测器混成芯片的工装的制备方法制备分离探测器混成芯片的工装;
将所述工装的涂覆有透明胶层的一侧对准所述探测器混成芯片的光敏芯片下压,以使所述探测器混成芯片与所述工装粘接;
对粘接有所述探测器混成芯片的工装进行超声处理,以将所述光敏芯片剥离所述探测器混成芯片。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,将粘接有所述探测器混成芯片的工装放置于去离子水中进行超声处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所,未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010225130.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种智能数据采集终端
- 下一篇:一种管梁产品的端口检具检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的