[发明专利]应力解耦和粒子过滤器集成

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对布置的第二表面；

第一应力敏感传感器，设置在所述衬底的所述第一表面处，其中所述第一应力敏感传感器对机械应力敏感；

第一应力解耦沟槽，具有从所述第一表面延伸到所述衬底中的竖直延伸，其中所述第一应力解耦沟槽朝向所述第二表面竖直地部分延伸至所述衬底中，但未完全延伸到所述第二表面；以及

多个粒子过滤器沟槽，从所述第二表面竖直地延伸至所述衬底中，其中所述多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽具有与所述第一应力解耦沟槽的所述竖直延伸正交延伸的纵向延伸，以及

其中所述多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽通过从所述第二表面延伸到所述第一应力解耦沟槽的底部的所述衬底的背侧部分而与所述多个粒子过滤器沟槽中邻近的粒子过滤器沟槽分离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个粒子过滤器沟槽中的所述每个粒子过滤器沟槽以交叉图案与所述第一应力解耦沟槽相交。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一应力解耦沟槽包括沿第一轴的所述竖直延伸、沿与所述第一轴正交的第二轴的纵向延伸、以及沿与所述第一轴和所述第二轴正交的第三轴的横向延伸，并且所述多个粒子过滤器沟槽的所述纵向延伸以与所述第三轴平行的角度或以在所述第二轴与所述第三轴之间的角度而被布置。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述多个粒子过滤器沟槽沿所述第二轴彼此分离。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述衬底是一件式整体构造。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽与所述第一应力解耦沟槽的所述底部相交，使得所述多个粒子过滤器沟槽与所述第一应力解耦沟槽结合以形成从所述第一表面延伸到所述第二表面的多个开口。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述多个粒子过滤器沟槽中的所述每个粒子过滤器沟槽与所述第一应力解耦沟槽形成交叉图案或X图案。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二应力解耦沟槽，与所述第一应力解耦沟槽邻近，所述第二应力解耦沟槽具有从所述第一表面延伸到所述衬底中的竖直延伸，其中所述第二应力解耦沟槽朝向所述第二表面竖直地部分延伸至所述衬底中，但未完全延伸到所述第二表面，

其中，所述多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽的所述纵向延伸横向跨越所述第一应力解耦沟槽和所述第二应力解耦沟槽。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽以交叉图案与所述第一应力解耦沟槽相交，并且以交叉图案与所述第二应力解耦沟槽相交。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一应力解耦沟槽围绕所述衬底的应力敏感区域的外围，所述第一应力敏感传感器设置在所述应力敏感区域中，

所述多个粒子过滤器沟槽沿所述第一应力解耦沟槽布置在应力敏感区域的所述外围的不同侧处，并且

所述多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽以交叉图案与所述第一应力解耦沟槽相交。