[发明专利]气相二氧化硅的表面改性联合处理方法

权利要求书

1.气相二氧化硅的表面改性联合处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)采用两组改性装置联合处理气相二氧化硅，每组改性装置均包含反应炉和气体分离器；在每组改性装置的反应炉中用改性剂对气相二氧化硅进行改性，分别得两组改性气相二氧化硅和废气；

(2)将步骤(1)所得废气分别进行分离，得到未反应的改性剂和副产物，将所得副产物作为反应助剂输入另一组改性装置的反应炉中参与改性反应，将所得未反应的改性剂返回原改性装置的反应炉中重复使用；

所述两组改性装置所使用的改性剂彼此不相同地选自有机氯硅烷、烷基硅氧烷、烷基硅氮烷、端羟基聚硅氧烷和环硅氧烷；其中，所述两组改性装置所使用的改性剂不均选自端羟基聚硅氧烷或环硅氧烷。

2.如权利要求1所述的表面改性联合处理方法，其特征在于，所述有机氯硅烷的结构式为所述烷基硅氧烷的结构式为所述烷基硅氮烷的结构式为所述端羟基聚硅氧烷的结构式为所述环硅氧烷的结构式为

其中，

所述R¹、R³独立地选自C1～C6烷基；

所述R²选自C1～C22烷基；

所述R⁴、R⁵独立地选自C1～C6烷基、C2～C6烯基或苯基；

各R⁶、R⁷独立地选自H、C1～C6烷基或C2～C6烯基；

m独立地选自1～3的自然数，n选自3～30的自然数，o选自3～6的自然数。

3.如权利要求2所述的表面改性联合处理方法，其特征在于，

所述R¹、R³独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基或正己基；

所述R²选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基或C7～C16烷基；

所述R⁴、R⁵独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、己基、乙烯基、丙烯基或苯基；

各R⁶、R⁷独立地选自H、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、己基、乙烯基、丙烯基、丁烯基或戊烯基；

m独立地选自1、2或3，n选自3～20的自然数，o选自3、4、5或6。

4.如权利要求3所述的表面改性联合处理方法，其特征在于，

所述有机氯硅烷选自二甲基二氯硅烷或三甲基氯硅烷；

所述烷基硅氧烷选自二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷或二乙基二乙氧基硅烷；

所述烷基硅氮烷选自六甲基二硅氮烷或四甲基二乙烯基二硅氮烷；

所述端羟基聚硅氧烷选自端羟基聚二甲基硅氧烷、端羟基聚甲基乙烯基硅氧烷或端羟基聚甲基苯基硅氧烷；

所述环硅氧烷选自六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷或十二甲基环六硅氧烷。

5.如权利要求1所述的表面改性联合处理方法，其特征在于，其中一组所述改性装置所使用的改性剂为有机氯硅烷，另一组所述改性装置所使用的改性剂为烷基硅氧烷、烷基硅氮烷、端羟基聚硅氧烷或环硅氧烷；

或，其中一组所述改性装置所使用的改性剂为烷基硅氧烷，另一组所述改性装置所使用的改性剂为烷基硅氮烷、端羟基聚硅氧烷或环硅氧烷；

或，其中一组所述改性装置所使用的改性剂为烷基硅氮烷，另一组所述改性装置所使用的改性剂为端羟基聚硅氧烷或环硅氧烷。

6.如权利要求1所述的表面改性联合处理方法，其特征在于，

步骤(2)中分离所述废气的过程包括：将废气中的粉体和气体进行一次分离，将一次分离所得粉体返回原改性装置的反应炉中继续进行改性反应，将一次分离所得气体进行过滤，过滤所得气体经气体分离得到未反应的改性剂和副产物，过滤所得粉体返回进行一次分离。