[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 202010225961.8 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111370461B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 张桂洋;查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L25/16;G09G3/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一显示模组和第二显示模组;所述第一显示模组的背部设有用于安装光学传感器的电子元件区,所述第一显示模组包括显示区以及与所述显示区相邻设置的透光区,所述透光区与所述电子元件区对应设置;
所述第二显示模组设置在所述透光区,且与所述第一显示模组的所述显示区相邻接;所述第二显示模组包括呈阵列分布的多个像素区;每个像素区设有自发光的微型发光单元,且任意相邻的两个所述微型发光单元间隔设置;
所述第二显示模组与所述电子元件区之间设置有生长基板;所述生长基板在垂直于所述显示面板方向上的投影的形状和大小与所述透光区在垂直于所述显示面板方向上的投影的形状和大小相匹配;
每个所述像素区的所述微型发光单元形成于所述生长基板远离所述电子元件区的一侧。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每个所述像素区包括多种颜色的子像素区,所述微型发光单元包括与所述多种颜色的子像素区一一对应设置的多个子微型发光单元;
所述多个子微型发光单元间隔设置。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每个所述子微型发光单元包括依次设置在所述生长基板上的微型发光二极管和量子点色转换单元。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述多种颜色的子像素区包括红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区;
所述红色子像素区对应的所述量子点色转换单元为红色量子点色转换单元;所述绿色子像素区对应的所述量子点色转换单元为绿色量子点色转换单元;所述蓝色子像素区对应的所述量子点色转换单元为蓝色量子点色转换单元;
所述微型发光二极管包括蓝色微型发光二极管和紫色微型发光二极管中的任意一种。
5.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述多种颜色的子像素区包括红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区;
所述绿色子像素区对应的所述子微型发光单元包括绿色微型发光二极管,所述蓝色子像素区对应的所述子微型发光单元包括蓝色纳米环微型发光二极管,所述红色子像素区对应的所述子微型发光单元包括红色量子点纳米环微型发光二极管。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述绿色微型发光二极管包括依次设置在所述生长基板上的第一N型掺杂层、第一多量子阱层以及第一P型掺杂层;
所述蓝色纳米环微型发光二极管包括所述第一N型掺杂层以及设置在所述第一N型掺杂层上的呈阵列分布的多个纳米环,每个所述纳米环包括依次设置在所述第一N型掺杂层上的第二多量子阱层和第二P型掺杂层;所述第一多量子阱层和所述第二多量子阱层的材料相同,且所述第一P型掺杂层和所述第二P型掺杂层的材料相同;
所述红色量子点纳米环微型发光二极管包括所述蓝色纳米环微型发光二极管以及覆盖在所述蓝色纳米环微型发光二极管上的红色量子点色转换层。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述微型发光单元包括多色微型发光二极管;所述多色微型发光二极管在不同的电流信号以及时序信号控制下分别发出红光、绿光和蓝光。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述多色微型发光二极管包括依次设置在所述生长基板上的第二N型掺杂层、多量子阱堆叠层、电子阻挡层和第三P型掺杂层;
所述多量子阱堆叠层包括依次设置在所述第二N型掺杂层上的第一载流子阻挡层、蓝光发射功能层、第二载流子阻挡层、绿光发射功能层、第三载流子阻挡层、红光发射功能层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任意一项所述的显示面板,以及设置在所述第一显示模组背部的所述电子元件区的光学传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的