[发明专利]相移掩模坯料、其制造方法以及相移掩模

权利要求书

1.一种相移掩模坯料，其包含衬底和其上的相移膜，所述相移膜由含有硅和氮且不含过渡金属的材料组成，其中

曝光光是KrF准分子激光，

相移膜由单层或多层构成，所述单层或多层的每一层具有对于曝光光2.5以上的折射率n和0.4至1的消光系数k，和

所述相移膜具有对于曝光光170至190°的相移和4至8％的透射率，并且具有85nm以下的厚度。

2.根据权利要求1所述的相移掩模坯料，其中，所述单层或多层的每一层具有在0.43至0.53范围内的含量比率N/(Si+N)，比率N/(Si+N)表示相对于硅与氮含量之和(at％)的氮含量(at％)。

3.一种相移掩模坯料，其包含衬底和其上的相移膜，所述相移膜由含有硅和氮且不含过渡金属的材料组成，其中

曝光光是KrF准分子激光，

所述相移膜由单层或多层构成，所述单层的至少一部分或所述多层的至少一部分具有在0.43至0.53范围内的含量比率N/(Si+N)，比率N/(Si+N)表示相对于硅与氮含量之和(at％)的氮含量(at％)，和

所述相移膜具有对于曝光光170至190°的相移。

4.权利要求1至3中任一项所述的相移掩模坯料的制造方法，包含以下步骤：

通过使用含硅靶和氮气的反应性溅射形成相移膜，其中

在所述形成步骤中，将氮气流量设定为赋予相移膜对于曝光光的最高折射率n的流量的-20％至+20％，并且保持恒定或连续变化或分段变化的值，赋予最高折射率n的流量是使流量从低流量变为高流量而获得的。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述形成步骤中，将氮气流量设定为赋予相移膜对于曝光光的最高折射率n并保持恒定的流量。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述溅射是磁控溅射，并且含硅靶是硅靶。

7.一种相移掩模，其通过使用根据权利要求1至3中任一项所述的相移掩模坯料来制造。