[发明专利]垂直存储器装置

说明书

提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括位于基底上的第一结构。第一结构包括在垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案。第二结构连接到第一结构。第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案。沟道结构穿过栅极图案。第一接触插塞穿过第二结构，并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接。第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘。在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的每者处包括至少一个弯曲部分。

本申请要求于2019年6月20日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0073611号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及垂直存储器装置。

背景技术

近来，已经开发出包括竖直堆叠在基底上的多个存储器单元的垂直存储器装置。垂直存储器装置的一个示例包括NAND型闪存。尽管垂直存储器装置已经具有增加的集成度，但是随着堆叠的存储器单元的数量增加，用于连接存储器单元的布线结构会变得复杂。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括位于基底上的第一结构。第一结构包括在垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案。第二结构连接到第一结构。第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案。沟道结构穿过栅极图案。第一接触插塞穿过第二结构，并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接。第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘。在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的每者处包括至少一个弯曲部分。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括位于基底上的电路图案。基体图案和基体绝缘层设置在电路图案上。第一结构设置在基体图案上。第一结构包括在垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的栅极图案。栅极图案在平行于基底的上表面的第一方向上延伸。第二结构连接到第一结构，第二结构包括在单独的多个层中的垫图案。垫图案电连接到同一层的栅极图案。沟道结构穿过栅极图案，并且沟道结构在竖直方向上延伸。穿过第二结构的第一接触插塞与所述多个层中的一个层的垫图案电连接，并且第一接触插塞在竖直方向上延伸。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括设置在基底上的第一结构。第一结构包括在垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的栅极图案。栅极图案在平行于基底的上表面的第一方向上延伸。第二结构连接到第一结构，第二结构包括在单独的多个层中间隔开并电连接到同一层的栅极图案的垫图案。沟道结构穿过栅极图案。沟道结构在竖直方向上延伸。第一接触插塞穿过第二结构，并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接，并且第一接触插塞在竖直方向上延伸。第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘。第三结构与第二结构间隔开，并且第二接触插塞穿过第三结构，并且第二接触插塞在竖直方向上延伸。沟道结构的上表面与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面彼此共面。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其他特征将变得更清楚，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的垂直存储器装置的平面图；

图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的垂直存储器装置的沿着图1的线I-I'和线II-II'截取的剖视图；

图3A是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的垂直存储器装置的沿着线III-III'截取的剖面的剖视图；

图3B是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的垂直存储器装置中的位于一个水平处的栅极图案、导电图案和垫图案(pad pattern，或称为“焊盘图案”)的平面图；

图4A、图4B和图4C是示出根据本发明构思的示例性实施例的垂直存储器装置的下部分的剖视图；