[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 202010227806.X | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN111755376A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 籾山大;佐佐木均 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;阎文君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
本发明提供一种静电吸盘,在极低温的环境下,能够抑制发生陶瓷电介体基板从基座板的剥离及陶瓷电介体基板的裂开。一种静电吸盘,具备:陶瓷电介体基板;金属制的基座板,支撑所述陶瓷电介体基板;及接合层,设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间且含有树脂材料,其特征为,满足相关于接合层的伸长率、接合强度、弹性模量的第1~第6条件中至少任意一个。
技术领域
本发明的形态一般涉及一种静电吸盘。
背景技术
在进行蚀刻(etching)、化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Depo sition))、溅射(sputtering)、离子注入、抛光、曝光、检查等的基板处理装置中,作为吸附保持半导体晶片或玻璃基板等被吸附物(对象物)的方法而使用静电吸盘。
在氧化铝等的陶瓷电介体基板之间夹住电极并进行烧成而制作静电吸盘。静电吸盘是在内置的电极上外加静电吸附用电力,并通过静电力来吸附硅片等的基板。
近几年,在这样的基板处理装置中,伴随流程的细微化,为了提高加工精度而研究了在比以往更低温环境下的处理。与此相伴,即使在静电吸盘中,也要求在比以往更低温环境下可使用的低温抗性。
专利文献
专利文献1:日本国特开2003-273202号公报
发明内容
得到了如下知识,虽然现有的静电吸盘例如可在-20℃左右的低温环境下使用,但是在-60℃以下的极低温的环境下,接合陶瓷电介体基板与基座板的接合层的柔软性降低,有可能发生陶瓷电介体基板从基座板的剥离,或者例如因表面图案(pattern)、形状、厚度等而发生陶瓷电介体基板的裂开而破损。
本发明是基于这样的问题的认知而进行的,所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘,在极低温的环境下,能够抑制发生陶瓷电介体基板从基座板的剥离及陶瓷电介体基板的裂开。
第1发明为一种静电吸盘,具备:陶瓷电介体基板;金属制的基座板,支撑所述陶瓷电介体基板;及接合层,设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间且含有树脂材料,其特征为,满足以下第1~第6条件中至少任意一个。第1条件:-60℃下的所述接合层的伸长率α1为120%以上。第2条件:对于25℃下的所述接合层的伸长率α2的所述伸长率α1的比α1/α2为0.60以上。第3条件:-60℃下的所述接合层的接合强度β1为0.4MPa以上、10MPa以下。第4条件:对于25℃下的所述接合层的接合强度β2的所述接合强度β1的比β1/β2为0.6以上、10以下。第5条件:-60℃下的所述接合层的弹性模量γ1为0.1MP a以上、10MPa以下。第6条件:对于25℃下的所述接合层的弹性模量γ2的所述弹性模量γ1的比γ1/γ2为0.6以上、30以下。
根据该静电吸盘,当满足第1条件时,在-60℃以下的极低温的环境下,由于接合层具有充分的伸长率,因此接合层中能够确保充分的柔软性。由此,在极低温的环境下,抑制施加于陶瓷电介体基板的应力,能够抑制发生陶瓷电介体基板从基座板的剥离及陶瓷电介体基板的裂开。
另外,根据该静电吸盘,当满足第2条件时,在从室温处于-60℃以下的极低温的环境下时,能够缓解陶瓷电介体基板与基座板之间的热膨胀率差。由此,能够抑制发生陶瓷电介体基板从基座板的剥离及陶瓷电介体基板的裂开。
另外,根据该静电吸盘,当满足第3条件时,在-60℃以下的极低温的环境下,位于陶瓷电介体基板与基座板之间的接合层的固定(anchor)效果不会过于变弱。由此,在极低温的环境下,能够更加确实地接合陶瓷电介体基板与基座板。另外,根据该静电吸盘,在-60℃以下的极低温的环境下,位于陶瓷电介体基板与基座板之间的接合层的固定效果不会过于变强。由此,在极低温的环境下,抑制施加于陶瓷电介体基板的应力,能够抑制发生陶瓷电介体基板从基座板的剥离及陶瓷电介体基板的裂开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造