[发明专利]测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法

权利要求书

1.一种测算三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：制备不同厚度的三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃薄膜；

步骤S2：在三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃薄膜表面沉积一对圆形电极，获得测试样品；

步骤S3：采用变温圆偏振光致电流测量系统，对不同厚度的测试样品进行变温圆偏振光致电流的测量，获得三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃薄膜在不同温度下的圆偏振光致电流；

所述变温圆偏振光致电流测量系统包括：激发光源，以及沿激发光源的光路依次设置的：衰减片、斩波器、起偏器、四分之一波片以及带有透光窗口的杜瓦瓶；所述杜瓦瓶连接控温仪；所述测试样品设置在杜瓦瓶内，且电极通过导线引出杜瓦瓶，并连接数据采集装置；所述四分之一波片连接步进电机；

通过改变三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃的厚度以及衬底的类型，改变圆偏振光致电流随温度变化趋势；

所述衬底为无掺杂Si衬底或SrTiO₃衬底。

2.根据权利要求1所述的测算三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，其特征在于：在步骤S1中，所述三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃薄膜沿（111）晶面生长在绝缘Si衬底上。

3.根据权利要求2所述的测算三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，其特征在于：所述Si衬底的材料没有掺杂，费米能级在带隙中间。

4.根据权利要求1所述的测算三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，其特征在于：在步骤S1中，所述三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃薄膜沿（111）晶面生长在SrTiO₃衬底上。

5.根据权利要求1-4其中任一所述的测算三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，其特征在于：所述三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃薄膜的厚度为3-30 nm。

6.根据权利要求1-4其中任一所述的测算三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，其特征在于：步骤S2中，圆形电极的间距为1-3 mm，直径为0.5-1 mm。