[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010227927.4 申请日: 2020-03-27
公开(公告)号: CN111755596A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 小川洋平;上村纮崇 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L43/04 分类号: H01L43/04;H01L43/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;闫小龙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于具备:

半导体衬底;

立式霍尔元件,其包含磁传感部,且设置在所述半导体衬底;以及

励磁布线,其在所述半导体衬底的表面侧与所述磁传感部分离设置,

所述励磁布线由多次环绕而成的单一布线构成,

所述励磁布线具有:多个主布线部,其从与所述半导体衬底的表面正交的方向俯视观察下,在与所述磁传感部重合的重叠区域互相分离且并列配置;以及副布线部,其将所述多个主布线部各自互相串联连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,构成所述单一布线的多个主布线部分别沿着与所述半导体衬底的表面平行的方向配置。

3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,构成所述单一布线的多个主布线部分别沿着与所述半导体衬底的表面正交的方向配置。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,构成所述单一布线的所述副布线部的至少一部分,相对于构成所述单一布线的所述多个主布线部之中最靠近所述半导体衬底的表面而配置的主布线部,更靠近所述半导体衬底的表面而配置。

5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,在从与所述半导体衬底的表面正交的方向俯视观察下,构成所述单一布线的所述副布线部配置在从所述磁传感部错开的非重叠区域。

6.如权利要求5所述的半导体装置,其中,从与所述半导体衬底的表面正交的方向俯视观察下,所述副布线部之中与所述主布线部平行的部分以夹持所述磁传感部的方式配置。

7.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,所述励磁布线具有多条所述单一布线。

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