[发明专利]功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置在审
申请号: | 202010227991.2 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN111477657A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;横山浩平;平形吉晴 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李啸;姜冰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功能 面板 制造 方法 模块 数据处理 装置 | ||
1.一种功能面板的制造方法,包括:
准备加工构件的第一步骤,该加工构件包括:第一基材;包括重叠于所述第一基材的区域的第二基材;将所述第二基材接合于所述第一基材的一个表面的接合层;以及位于由所述第一基材、所述第二基材及所述接合层包围的区域中的功能层,并且在所述第一步骤中,对加工构件支撑部供应所述加工构件;
将所述加工构件的温度控制为预定的值且使设置有所述加工构件支撑部的处理室排气的第二步骤;
将包含前体化合物的源气体供应给所述处理室,然后从所述处理室吹扫所述源气体的第三步骤;
将包含氧化剂的源气体供应给所述处理室,然后从所述处理室吹扫所述源气体的第四步骤;
在都包括所述第三步骤及所述第四步骤的循环的反复次数少于预定的反复次数时回到所述第三步骤,并且在所述循环的反复次数为所述预定的次数以上时进入第六步骤的第五步骤;以及
将所述加工构件从所述处理室搬出的所述第六步骤。
2.一种功能面板的制造方法,包括:
准备加工构件的第一步骤,该加工构件包括:第一基材;包括重叠于所述第一基材的区域的第二基材;将所述第二基材接合于所述第一基材的一个表面的第一接合层及第二接合层;包括多个功能元件并位于由所述第一基材、所述第二基材及所述第一接合层包围的区域中的第一功能层;以及位于由所述第一基材、所述第二基材及所述第二接合层包围的区域中并包括多个功能元件的第二功能层,并且在所述第一步骤中,在所述第二基材的重叠于所述第一接合层与所述第二接合层之间的区域的区域中形成开口;
对加工构件支撑部供应所述加工构件的第二步骤;
将所述加工构件的温度控制为预定的值且使设置有所述加工构件支撑部的处理室排气的第三步骤;
将包含前体化合物的源气体供应给所述处理室,然后从所述处理室吹扫所述源气体的第四步骤;
将包含氧化剂的源气体供应给所述处理室,然后从所述处理室吹扫所述源气体的第五步骤;
在都包括所述第四步骤及所述第五步骤的循环的反复次数少于预定的反复次数时回到所述第四步骤,并且在所述循环的反复次数为所述预定的次数以上时进入第七步骤的第六步骤;
将所述加工构件从所述处理室搬出的所述第七步骤;以及
将所述加工构件沿着重叠于所述第一接合层与所述第二接合层之间的所述区域的所述区域截断的第八步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的