[发明专利]5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片在审
| 申请号： | 202010228778.3 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111525217A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 吴永乐;于会婷;王卫民;杨雨豪;冉桔庆 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 孟维娜;丁芸 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 毫米波 阶梯 阻抗 开路 枝节 薄膜 ipd 带通滤波器 芯片 | ||
1.一种5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片为T型结构的滤波器芯片，包括：
两个开路耦合线、一个阶梯阻抗开路枝节；
所述阶梯阻抗开路枝节与所述开路耦合线相连，并且所述阶梯阻抗开路枝节的阻抗沿开路方向阶梯分布。
2.根据权利要求1所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片由薄膜集成无源器件IPD工艺生成。
3.根据权利要求2所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述开路耦合线和所述阶梯阻抗开路枝节由三层金属传输线组成；
所述三层金属传输线为在高阻硅衬底生长得到的。
4.根据权利要求3所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，薄膜IPD工艺中设置过孔。
5.根据权利要求4所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述衬底下面设置一层接地金属，所述5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片中需接地的端口通过过孔的方式连接到所述接地金属上共地。
6.根据权利要求1所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述两个开路耦合线中的一个开路耦合线连接输入端口；
另一个开路耦合线连接输出端口；
在所述输入端口的两个对立的侧方分别设置有两个接地端；
在所述输出端口的两个对立的侧方分别设置有两个接地端。
7.根据权利要求1所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片的工作频段包括36.5GHz-39.5GHz。
8.根据权利要求7所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述阶梯阻抗开路枝节包括第一子枝节和第二子枝节；
所述阶梯阻抗开路枝节通过所述第一枝节和所述开路耦合线相连；
所述第一子枝节内阻抗均匀分布；
所述第二子枝节内阻抗均匀分布；
所述第一枝节和所述第二子枝节的阻抗不同。
9.根据权利要求8所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述第一子枝节的传输线线宽为大于所述第二子枝节。
10.根据权利要求1所述的5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片，其特征在于，所述5G毫米波阶梯阻抗开路枝节薄膜IPD带通滤波器芯片通带的带宽为-3dB带宽。
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