[发明专利]一种Nand Flash存储器的管理方法和装置在审
申请号: | 202010228838.1 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN111443873A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 谢爱明;邓应如;汤奇龙 | 申请(专利权)人: | 深圳天岳创新科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 孟丽平 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nand flash 存储器 管理 方法 装置 | ||
本发明涉及存储介质领域,公开了一种Nand Flash存储器的管理方法和装置。方法包括,获取存储区中入队指针指向的数据块位置,其中,储存区包括数据区和独立备份块,数据区包括至少一个数据块,入队指针指向数据区的起始数据块,出队指针指向数据区的结束数据块,独立备份块位于起始数据块之前;根据入队指针指向的数据块位置,将数据写入相应的数据块中;确认数据写入是否成功;如果数据写入成功,则分别将入队指针和出队指针向前移动一个数据块,由此能够保证数据的完整性和安全性。
技术领域
本发明涉及存储介质领域,特别是涉及一种Nand Flash存储器的管理方法和装置。
背景技术
在设备应用中,需要保存大量的历史记录数据(包括充电账单、操作记录、告警记录等),方便设备运营方进行数据核对和管理。
目前设备中存储器件类型主要是包括:E2prom和Nand flash;E2prom属于电可擦除器件,可进行反复快速编程,但是价格昂贵,容量小,不合适保存大量记录数据;Nandflash属于非易失闪存器件,每次编程都需要按照扇区进行擦除,然后才能编程,操作速度慢,但是价格低廉,容量大,目前广泛应用于设备的记录存储。
对于Nand flash的数据存储,具有在读写之前必须重新进行块擦除,才能进行写入的特性,就决定了会有数据丢失。
针对该问题传统的处理方式是在擦除之前,把块数据全部读出来,存入缓存中,等待该快擦除之后,进行写操作时,在从缓存写入块中,这样循环的进行块擦除,数据拷贝,很容易造成块损坏,而导致数据丢失,出现坏块,很容易导致数据丢失,具有极大的数据完整性和安全性风险。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种Nand Flash存储器的管理方法和装置,能够保证数据的完整性和安全性。
第一方面,本发明实施例提供了一种Nand Flash存储器的管理方法,所述方法包括:
获取存储区中入队指针指向的数据块位置,其中,所述储存区包括数据区和独立备份块,所述数据区包括至少一个数据块,所述入队指针指向所述数据区的起始数据块,出队指针指向所述数据区的结束数据块,所述独立备份块位于所述起始数据块之前;
根据所述入队指针指向的数据块位置,将数据写入相应的数据块中;
确认数据写入是否成功;
如果数据写入成功,则分别将所述入队指针和所述出队指针向前移动一个数据块。
在一些实施例中,所述确定数据写入是否成功,包括:
读取所述数据块中的数据;
若读取的数据和写入的数据一致,则确定数据写入成功;
若读取的数据和写入的数据不同,则确定数据写入失败。
在一些实施例中,所述方法还包括:
如果数据写入失败,则将所述入队指针向前移动一个数据块。
在一些实施例中,所述所述如果数据写入失败,所述方法还包括:
获取数据写入失败的所述数据块的地址信息;
将所述地址信息写入坏块检测表中,并更新所述坏块检测表。
在一些实施例中,所述方法还包括:
利用所述入队指针查询所述数据区中最新写入的数据。
在一些实施例中,所述方法还包括:
利用所述出队指针查询所述数据区中最早写入的数据。
在一些实施例中,所述方法还包括:
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