[发明专利]一种半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括基板以及基板上堆叠的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，

半导体发光序列自最邻近基板一侧开始依次包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；

用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；

用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；

半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同一侧；

其特征在于：第二电连接层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于绝缘层的远离半导体发光序列的一侧，绝缘层上具有孔洞，所述第二部分自第一部分延伸穿过绝缘层的所述孔洞至绝缘层的另一侧与第二电极连接，所述的孔洞为环状并且数量为一个或多个。

2.一种半导体发光器件，包括基板以及基板上堆叠的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，

半导体发光序列自最邻近基板一侧开始依次包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；

用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；

用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；

半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同一侧；

其特征在于：第二电连接层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于绝缘层的远离半导体发光序列的一侧，绝缘层上具有孔洞，所述第二部分自第一部分延伸穿过绝缘层的所述孔洞至绝缘层的另一侧与第二电极连接，所述的孔洞柱状或锥形，并且所述的孔洞数量为多个。

3.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述的绝缘层一部分位于第二电极竖直下方的中心位置，所述的孔洞偏离第二电极下方的中心位置。

4.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述绝缘层的孔洞位于第二电极竖直下方的相对于中心更靠近边缘的位置或未位于第二电极竖直下方。

5.根据权利要求3所述的一种半导体发光器件，其特征在于：第二电极下方的面自中心到边缘至少一半的半径范围与绝缘层表面重叠。

6.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述的第二电极下方的面积与第二电连接层的第二部分的面积比为4/5~5/6。

7.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征在于：半导体发光序列包括至少一个孔，所述孔的开口位于第一导电类型半导体层一侧，并且 所述孔的底部为第二导电类型半导体层，所述的第二电连接层包括填充所述半导体发光序列的所述至少一个孔并且底部接触第二导电类型半导体层的另外部分，孔的侧壁通过绝缘层绝缘。

8.根据权利要求7所述的一种半导体发光器件，其特征在于：通过第二电连接层包括的填充在所述半导体发光序列的所述至少一个孔的所述的另外部分、第一部分以及第二部分，第二导电类型半导体层连接至第二电极。

9.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征在于：第一电极和第二电极的底部处于同一高度位置。

10.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述绝缘层在第一电连接层和第二电连接层之间的厚度为100nm~5000nm。

11.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述绝缘层的莫氏硬度至少为6。

12.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述的第一电连接层或第二电连接层为单层或多层金属堆叠形成。