[发明专利]导电性构件、处理盒、和电子照相图像形成设备有效
申请号: | 202010229032.4 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN111752123B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 西冈悟;山内一浩;渡边宏晓;古川匠;伏本康宏;仓地雅大;高岛健二;菊池裕一;佐藤加奈 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/02 | 分类号: | G03G15/02;G03G21/18 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 构件 处理 电子 照相 图像 形成 设备 | ||
1.一种电子照相用导电性构件,其特征在于,其包含:
具有导电性外表面的支承体;和
在所述支承体的外表面上的导电层,
所述导电层具有包括第一橡胶的交联产物的基体,和分散在所述基体中的多个域,
所述域各自包括第二橡胶的交联产物和导电性颗粒,
所述域中的至少一部分露出所述电子照相用导电性构件的外表面以在所述电子照相用导电性构件的外表面上构成凸部,
所述电子照相用导电性构件的外表面由所述基体和露出所述电子照相用导电性构件的外表面的所述域构成,
其中所述电子照相用导电性构件构成为:当测量阻抗时,将铂电极直接设置在所述电子照相用导电性构件的外表面上,并且阻抗通过在23℃的温度和50%的相对湿度的环境下,在所述支承体的所述外表面和所述铂电极之间施加振幅为1V和频率为1.0Hz的交流电压来测量,所述电子照相用导电性构件的阻抗为1.0×103Ω以上且1.0×108Ω以下,并且其中
当将所述导电层的沿长度方向的长度定义为L,和所述导电层的厚度定义为T,
在三个位置获得所述导电层的沿其厚度方向的截面,所述三个位置包括所述导电层的沿长度方向的中央位置,和对应于从所述导电层的两端至所述导电层的沿长度方向的中央L/4的两个位置,和
假定在每个所述截面的厚度区域中任意地设置各自具有15μm见方的三个观察区域,所述厚度区域对应于距所述导电层的外表面0.1T的深度和0.9T的深度之间的区域时,
在总计九个观察区域中各自观察到的域的80个数%以上满足以下要求(1)和(2):
要求(1):在所述观察区域中包括的域之中,在待判定的域中包括的所述导电性颗粒的截面积与域的截面积的比例为20%以上;和
要求(2):A/B为1.00以上且1.10以下,其中A为域的周长,和B为域的包络周长,其中所述包络周长是当在观察区域中观察到的域的凸部彼此连接并且忽略凹部的周长时的周长。
2.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中所述基体的体积电阻率ρm为1.0×108Ω·cm以上且1.0×1017Ω·cm以下。
3.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中满足所述要求(1)和(2)的所述域的最大费雷特直径Df的平均值在0.1μm以上且5.0μm以下的范围内。
4.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中所述要求(1)中的比例为25%以上且30%以下。
5.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中所述导电性颗粒是导电性炭黑。
6.根据权利要求5所述的电子照相用导电性构件,其中所述导电性炭黑的DBP吸收量为40cm3/100g以上且80cm3/100g以下。
7.根据权利要求5所述的电子照相用导电性构件,其中在满足要求(1)和(2)的所述域的每个中包括的所述导电性炭黑的算术平均壁间距离C为110nm以上且130nm以下,和
当将所述导电性炭黑的壁间距离的标准偏差定义为σ·m时,σ·m/C为0.0以上且0.3以下。
8.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中所述第一橡胶和所述第二橡胶的溶解度参数的绝对值之间的差为0.4(J/cm3)0.5以上且4.0(J/cm3)0.5以下。
9.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中每个所述凸部的高度为50nm以上且200nm以下。
10.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中露出所述电子照相用导电性构件的外表面以构成凸部的域的算术平均壁间距离Dm为2.00μm以下。
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