[发明专利]一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置

权利要求书

1.一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，其特征在于，包括：

获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；

根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；

利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；

根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参数信息为SiC MOSFET器件各层的材料和厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集包括：

利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，并对不同能量的质子辐照所述模拟SiC MOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟；

获取每种能量质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照后，所述模拟SiC MOSFET器件的损伤区域、损伤范围以及该种质子的能量损失，得到对应有质子能量的损伤信息集。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理包括：

对比不同能量的质子对于所述模拟SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域，得到差别信息；

根据所述差别信息分析得到所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。

5.一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析装置，其特征在于，包括：

参数信息获取模块，用于获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；

模拟SiC MOSFET器件构建模块，用于根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；

辐照模拟模块，用于利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；

分析模块，用于根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述参数信息为SiC MOSFET器件各层的材料和厚度。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述辐照模拟模块包括：

辐照过程模拟单元，用于利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，并对不同能量的质子辐照所述模拟SiC MOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟；

辐照结果模拟单元，用于获取每种能量质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照后，所述模拟SiC MOSFET器件的损伤区域、损伤范围以及该种质子的能量损失，得到对应有质子能量的损伤信息集。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述分析模块包括：

对比单元，用于对比不同能量的质子对于所述模拟SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域，得到差别信息；

分析单元，用于根据所述差别信息分析得到所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。

9.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现权利要求1-4中任意一项所述方法的步骤。

10.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、显示器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1-4中任意一项所述方法的步骤。