[发明专利]有机发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010230125.9 申请日: 2020-03-27
公开(公告)号: CN111403615B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 吴永伟 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供了一种有机发光器件及其制备方法。所述有机发光器件包括发光层以及电子传输层。在所述发光层中具有钙钛矿材料。所述电子传输层中具有第一化合物,所述第一化合物中包括具有电子传输能力的有机基团以及与所述有机基团连接的离子。

技术领域

本发明涉及显示器件领域,特别是一种有机发光器件及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)因其制备工艺简单、响应速度快、无需背光源和能够实现柔性弯曲等诸多优点而被广泛关注。近几年,钙钛矿材料因同时具有有机和无机半导体材料的特性,受到广泛关注。

钙钛矿材料具备的独特优势如较高的载流子迁移率、较低的激子束缚能、较宽的吸收光谱等使其在光伏电池、电致发光器件和光电探测器等光电器件方面有着广泛的应用。此外,钙钛矿材料可通过溶液法快速、大面积的制备器件,可从根源上节约制作成本,简化制作工艺,使其具有非常大的商业潜力。

钙钛矿材料具备优异的溶液加工特性,但溶液加工方式同样导致其薄膜内含有大量的缺陷,尤其是钙钛矿发光层与电子传输层的界面处。这些缺陷容易产生局域化能态,加重非辐射复合的概率,更为严重的是,这些缺陷往往成为热、光、潮湿等因素“进攻”的诱发点,引发离子迁移并加重外界水汽、氧等的渗入,这些都极大地损害了器件性能。因此钙钛矿层表面的缺陷钝化非常重要。

发明内容

本发明的目的是提供了一种有机发光器件及其制备方法,以解决现有技术中包含钙钛矿材料的发光层容易被水汽、氧渗入,从而发生腐蚀,损害了器件性能等问题。

为实现上述目的,本发明提供一种有机发光器件,所述有机发光器件包括发光层以及电子传输层。在所述发光层中具有钙钛矿材料。所述电子传输层设于所述发光层的一表面上。其中,所述电子传输层中具有第一化合物,所述第一化合物中包括具有电子传输能力的有机基团以及与所述有机基团连接的离子。

进一步地,所述有机基团中包括噻咯基团、米基硼基团。所述离子为烷基胺正离子。

进一步地,所述第一化合物包括2,5-双(4-(二米基硼)苯基)-1,1-二乙基铵-3,4-二苯基噻咯。

进一步地,所述有机发光器件还包括空穴传输层、第一电极层以及第二电极层。所述空穴传输层设于所述发光层远离所述电子传输层的一表面上。所述第一电极层设于所述空穴传输层远离所述发光层的一表面上。所述第二电极层设于所述电子传输层远离所述发光层的一表面上。

本发明中还提供一种有机发光器件的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:

制备发光层,其材料中具有钙钛矿。在所述发光层上形成电子传输层,所述电子传输层的材料中具有第一化合物,所述第一化合物中具有电子传输能力的有机基团以及与所述有机基团连接的离子。

进一步地,在所述发光层上形成电子传输层步骤中,所述电子传输层采用溶液加工工艺。

进一步地,所述溶液加工工艺中所采用的溶剂包括异丙醇、乙醇、乙酸乙酯、乙酸甲酯中的至少一种。

进一步地,所述有机基团中包括噻咯基团、米基硼基团。;所述离子为烷基胺正离子。

进一步地,所述第一化合物包括2,5-双(4-(二米基硼)苯基)-1,1-二乙基铵-3,4-二苯基噻咯。

进一步地,在制备发光层步骤前还包括制备第一电极层步骤以及在所述第一电极层上形成空穴传输层步骤。在所述发光层上形成电子传输层步骤后还包括在所述电子传输层上形成第二电极层。

本发明的优点是:

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