[发明专利]一种晶粒定向排列多晶半透明氧化铝陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种晶粒定向排列多晶半透明氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、按设计氧化铝陶瓷的组成配料；

S2、采用高压压铸成型制备氧化铝陶瓷坯体；

S3、向氧化铝陶瓷坯体表面通过溅射掺杂氧化钇；所述溅射为电子射线真空溅射，溅射能量大于40kev;

S4、将表面掺杂后的氧化铝陶瓷坯体在真空或氢气气氛下进行预烧结处理，预烧结温度为900-1250℃，保温时间为0.5-4小时；

S5、将经过预烧结的氧化铝陶瓷坯体降温至50-70℃时，浸入抑制剂中进行60℃恒温浸渗3-8小时后进行常温干燥；

S6、将干燥后的所述氧化铝陶瓷坯体置于烧结炉中烧结，烧结温度为1700℃-1900℃，同时，对氧化铝陶瓷坯体施加4-10T磁场强度，保持时间为2-4小时，得到晶体定向排列的氧化铝陶瓷。

2.根据权利要求1所述的晶粒定向排列多晶半透明氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述氧化铝陶瓷的组成中，氧化铝的含量大于99%。

3.根据权利要求1所述的晶粒定向排列多晶半透明氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述高压压铸的压力为350-550MPa。

4.根据权利要求1所述的晶粒定向排列多晶半透明氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述抑制剂为饱和氧化钙水溶液。