[发明专利]一种双摄像头内窥镜切换电路及其设备

权利要求书

1.一种双摄像头内窥镜切换电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、NPN三极管Q1，所述电阻R1设置在输入节点端口GPIO0与NPN三极管Q1的基极之间，所述输入节点端口GPIO0与输入节点端口S_PWDN2连接，电阻R2设置在电源电压VDD与NPN三极管Q1的集电极之间，所述输入节点端口S_PWDN1与所述NPN三极管Q1的集电极相连，所述三极管Q1的发射极接地；

包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、NPN三极管Q2、NPN三极管Q3、NPN三极管Q4、LED二极管D1、LED二极管D2，所述电阻R3设置在所述输入节点端口GPIO1与所述NPN三极管Q2的基极之间，所述电阻R5设置在所述NPN三极管Q2的集电极与所述NPN三极管Q4的基极之间，三极管Q4的集电极连接发光二极管LEDD2的负极，发光二极管LEDD2的正极连接电源LED2_VDD，所述电阻R4设置在所述NPN三极管Q2的集电极与电源电压VDD之间，所述NPN三极管Q2的发射极接地，所述NPN三极管Q4的发射极接地，所述电阻R7设置在所述NPN三极管Q4的基极与接地之间，所述电阻R6设置在所述输入节点端口GPIO1与NPN三极管Q3的基极之间，三极管Q3的集电极连接发光二极管LEDD1的负极，发光二极管LEDD1的正极连接电源LED1_VDD，所述三极管Q3的发射极接地，所述电阻R8设置在所述NPN三极管Q3的基极与接地之间；

所述输入节点端口GPIO0与所述输入节点端口GPIO1连接到主控芯片的两个引脚，所述输入节点端口S_PWDN1与输入节点端口S_PWDN2分别连接到两个图像传感器。

2.根据权利要求1所述的一种双摄像头内窥镜切换电路，其特征在于：所述三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4的型号均为SS8050T。

3.一种双摄像头内窥镜切换设备，其特征在于：包括权利要求1-2中任意一项所述的一种双摄像头内窥镜切换电路。

4.根据权利要求3所述的一种双摄像头内窥镜切换设备，其特征在于：还包括外壳(1)、摄像头部分(2)以及柔性线路板，所述柔性线路板设置在摄像头部分(2)内部，所述摄像头部分(2)包括主摄像头(21)以及副摄像头(22)。

5.根据权利要求4所述的一种双摄像头内窥镜切换设备，其特征在于：所述主摄像头(21)为前向摄像头，所述副摄像头(22)为侧向摄像头。

6.根据权利要求4所述的一种双摄像头内窥镜切换设备，其特征在于：所述摄像头部分(2)还包括钢化玻璃保护层(23)。