[发明专利]一种列反转驱动电路及显示面板在审

专利信息
申请号: 202010231204.1 申请日: 2020-03-27
公开(公告)号: CN111292666A 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 刘莎;张林;郭军辉 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 反转 驱动 电路 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种列反转驱动电路,其特征在于,所述列反转驱动电路包括至少一个列反转驱动单元,其中,第N个所述列反转驱动单元包括第N个薄膜晶体管阵列和第N+1个薄膜晶体管阵列;

所述第N个薄膜晶体管阵列的源极用于连接第N列正数据信号;第N个薄膜晶体管阵列的栅极用于连接对应的第N组脉冲信号;所述第N个薄膜晶体管阵列的漏极用于连接对应的奇数列亚像素;

所述第N+1个薄膜晶体管阵列的源极用于连接第N+1列负数据信号;第N+1个薄膜晶体管阵列的栅极用于连接对应的第N+1组脉冲信号;所述第N+1个薄膜晶体管阵列的漏极用于连接对应的偶数列亚像素;

其中,所述第N组脉冲信号的逻辑负电位大于所述第N个薄膜晶体管阵列的关断电压;所述第N+1组脉冲信号的逻辑正电位小于所述第N+1个薄膜晶体管阵列的开启电压。

2.根据权利要求1所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N个薄膜晶体管阵列包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管;

所述第N列正数据信号与所述第一薄膜晶体管的源极、所述第二薄膜晶体管的源极以及所述第三薄膜晶体管的源极连接;对应的所述第N组脉冲信号依次与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述第三薄膜晶体管的栅极连接;所述第一薄膜晶体管的漏极与第N个所述奇数列亚像素连接;所述第二薄膜晶体管的漏极与第N+1个所述奇数列亚像素连接;所述第三薄膜晶体管的漏极与第N+2个所述奇数列亚像素连接。

3.根据权利要求2所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N组脉冲信号包括第一脉冲信号、第二脉冲信号以及第三脉冲信号;

所述第一脉冲信号与所述第一薄膜晶体管的栅极连接;所述第二脉冲信号与所述第二薄膜晶体管的栅极连接;所述第三脉冲信号与所述第三薄膜晶体管的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第一脉冲信号的逻辑负电位大于所述第一薄膜晶体管的关断电压;所述第二脉冲信号的逻辑负电位大于所述第二薄膜晶体管的关断电压;所述第三脉冲信号的逻辑负电位大于所述第三薄膜晶体管的关断电压。

5.根据权利要求1所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N+1个薄膜晶体管阵列包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及第六薄膜晶体管;

所述第N+1列负数据信号与所述第四薄膜晶体管的源极、所述第五薄膜晶体管的源极以及所述第六薄膜晶体管的源极连接;对应的所述第N+1组脉冲信号依次与所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第五薄膜晶体管的栅极以及所述第六薄膜晶体管的栅极连接;所述第四薄膜晶体管的漏极与第N个所述偶数列亚像素连接;所述第五薄膜晶体管的漏极与第N+1个所述偶数列亚像素连接;所述第六薄膜晶体管的漏极与第N+2个所述偶数列亚像素连接。

6.根据权利要求5所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N+1组脉冲信号包括第四脉冲信号、第五脉冲信号以及第六脉冲信号;

所述第四脉冲信号与所述第四薄膜晶体管的栅极连接;所述第五脉冲信号与所述第五薄膜晶体管的栅极连接;所述第六脉冲信号与所述第六薄膜晶体管的栅极连接。

7.根据权利要求6所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第四脉冲信号的逻辑正电位小于所述第四薄膜晶体管的开启电压;所述第五脉冲信号的逻辑正电位小于所述第五薄膜晶体管的开启电压;所述第六脉冲信号的逻辑正电位小于所述第六薄膜晶体管的开启电压。

8.根据权利要求1所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N个薄膜晶体管阵列包括多个N沟道型薄膜晶体管。

9.根据权利要求1所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N+1个薄膜晶体管阵列包括多个N沟道型薄膜晶体管。

10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的列反转驱动电路、数据驱动器以及数据选择器;

其中,所述数据驱动器用于提供所述第N列正数据信号和所述第N+1列负数据信号;所述数据选择器用于提供所述第N组脉冲信号和所述第N+1组脉冲信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010231204.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top