[发明专利]一种列反转驱动电路及显示面板在审
申请号: | 202010231204.1 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN111292666A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 刘莎;张林;郭军辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反转 驱动 电路 显示 面板 | ||
1.一种列反转驱动电路,其特征在于,所述列反转驱动电路包括至少一个列反转驱动单元,其中,第N个所述列反转驱动单元包括第N个薄膜晶体管阵列和第N+1个薄膜晶体管阵列;
所述第N个薄膜晶体管阵列的源极用于连接第N列正数据信号;第N个薄膜晶体管阵列的栅极用于连接对应的第N组脉冲信号;所述第N个薄膜晶体管阵列的漏极用于连接对应的奇数列亚像素;
所述第N+1个薄膜晶体管阵列的源极用于连接第N+1列负数据信号;第N+1个薄膜晶体管阵列的栅极用于连接对应的第N+1组脉冲信号;所述第N+1个薄膜晶体管阵列的漏极用于连接对应的偶数列亚像素;
其中,所述第N组脉冲信号的逻辑负电位大于所述第N个薄膜晶体管阵列的关断电压;所述第N+1组脉冲信号的逻辑正电位小于所述第N+1个薄膜晶体管阵列的开启电压。
2.根据权利要求1所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N个薄膜晶体管阵列包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管;
所述第N列正数据信号与所述第一薄膜晶体管的源极、所述第二薄膜晶体管的源极以及所述第三薄膜晶体管的源极连接;对应的所述第N组脉冲信号依次与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述第三薄膜晶体管的栅极连接;所述第一薄膜晶体管的漏极与第N个所述奇数列亚像素连接;所述第二薄膜晶体管的漏极与第N+1个所述奇数列亚像素连接;所述第三薄膜晶体管的漏极与第N+2个所述奇数列亚像素连接。
3.根据权利要求2所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N组脉冲信号包括第一脉冲信号、第二脉冲信号以及第三脉冲信号;
所述第一脉冲信号与所述第一薄膜晶体管的栅极连接;所述第二脉冲信号与所述第二薄膜晶体管的栅极连接;所述第三脉冲信号与所述第三薄膜晶体管的栅极连接。
4.根据权利要求3所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第一脉冲信号的逻辑负电位大于所述第一薄膜晶体管的关断电压;所述第二脉冲信号的逻辑负电位大于所述第二薄膜晶体管的关断电压;所述第三脉冲信号的逻辑负电位大于所述第三薄膜晶体管的关断电压。
5.根据权利要求1所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N+1个薄膜晶体管阵列包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及第六薄膜晶体管;
所述第N+1列负数据信号与所述第四薄膜晶体管的源极、所述第五薄膜晶体管的源极以及所述第六薄膜晶体管的源极连接;对应的所述第N+1组脉冲信号依次与所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第五薄膜晶体管的栅极以及所述第六薄膜晶体管的栅极连接;所述第四薄膜晶体管的漏极与第N个所述偶数列亚像素连接;所述第五薄膜晶体管的漏极与第N+1个所述偶数列亚像素连接;所述第六薄膜晶体管的漏极与第N+2个所述偶数列亚像素连接。
6.根据权利要求5所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N+1组脉冲信号包括第四脉冲信号、第五脉冲信号以及第六脉冲信号;
所述第四脉冲信号与所述第四薄膜晶体管的栅极连接;所述第五脉冲信号与所述第五薄膜晶体管的栅极连接;所述第六脉冲信号与所述第六薄膜晶体管的栅极连接。
7.根据权利要求6所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第四脉冲信号的逻辑正电位小于所述第四薄膜晶体管的开启电压;所述第五脉冲信号的逻辑正电位小于所述第五薄膜晶体管的开启电压;所述第六脉冲信号的逻辑正电位小于所述第六薄膜晶体管的开启电压。
8.根据权利要求1所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N个薄膜晶体管阵列包括多个N沟道型薄膜晶体管。
9.根据权利要求1所述的列反转驱动电路,其特征在于,所述第N+1个薄膜晶体管阵列包括多个N沟道型薄膜晶体管。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的列反转驱动电路、数据驱动器以及数据选择器;
其中,所述数据驱动器用于提供所述第N列正数据信号和所述第N+1列负数据信号;所述数据选择器用于提供所述第N组脉冲信号和所述第N+1组脉冲信号。
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