[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物

权利要求书

1.一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成栅电极的步骤；

b)在包含所述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤；

c)在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层IGZO的步骤；

d)在所述氧化物半导体层上形成源电极/漏电极的步骤；以及

e)形成与所述源电极/漏电极连接的像素电极的步骤，

所述d)步骤中，在所述氧化物半导体层上形成铜系金属膜，且利用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成所述源电极/漏电极，所述蚀刻液组合物包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述铜系金属膜为由铜或铜合金构成的单层膜，或者包含所述单层膜和由钼或钼合金构成的膜的多层膜。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述液晶显示装置用阵列基板为薄膜晶体管TFT阵列基板。

4.一种铜系金属膜蚀刻液组合物，相对于组合物总重量，包含：

(A)过氧化氢5.0～30.0重量％；

(B)含氟化合物或无机酸0.001～1.0重量％；

(C)唑化合物0.01～2.0重量％；

(D)有机酸1.0～10.0重量％；

(E)柠檬酸盐0.1～5重量％；

(F)硫酸盐和磷酸盐中的一种以上0.01～5重量％；

(G)多元醇型表面活性剂0.001～5.0重量％；以及

(H)水。

5.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述铜系金属膜为由铜或铜合金构成的单层膜，或者包含所述单层膜和由钼或钼合金构成的钼系单层膜的多层膜。

6.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，所述含氟化合物为选自由氟化铵(NH₄F)、氟化钠(NaF)、氟化钾(KF)、氟化氢铵(NH₄F·HF)、氟化氢钠(NaF·HF)和氟化氢钾(KF·HF)组成的组中的一种以上。

7.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，所述无机酸为选自由硝酸、硫酸和磷酸组成的组中的一种以上。

8.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，所述唑化合物为选自由吡咯系化合物、吡唑系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、唑系化合物、异唑系化合物、噻唑系化合物和异噻唑系化合物组成的组中的一种以上。

9.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸为选自由乙酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、丁酸、柠檬酸、异柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、琥珀酸、磺基琥珀酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、苹果酸、酒石酸和丙烯酸组成的组中的一种以上。

10.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，所述柠檬酸盐包含选自由柠檬酸单钠、柠檬酸二钠和柠檬酸三钠组成的组中的一种以上。

11.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，所述硫酸盐为选自由硫酸铵、过硫酸铵、硫酸钠、过硫酸钠、硫酸钾和过硫酸钾组成的组中的一种以上。

12.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，所述磷酸盐为选自由磷酸二氢铵和磷酸氢二铵组成的组中的一种以上。

13.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，所述多元醇型表面活性剂包含选自由丙三醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种以上。