[发明专利]一种双向硅控整流器及其制备方法

权利要求书

1.一种双向硅控整流器，其特征在于，包括：

半导体衬底(10)；

设置于所述半导体衬底(10)上的高压P阱(20)、第一高压N阱(30)以及第二高压N阱(40)，所述高压P阱(20)设置在所述第一高压N阱(30)以及所述第二高压N阱(40)间用于连接所述第一高压N阱(30)以及所述第二高压N阱(40)；

所述第一高压N阱(30)上间隔设置有第一P型重掺杂区(301)、第一N型重掺杂区(302)，所述第一P型重掺杂区(301)远离所述第一N型重掺杂区(302)的一侧设置有第一浅沟道隔离区(303)，其中，所述第一P型重掺杂区(301)设置在远离所述高压P阱(20)的位置，所述第一N型重掺杂区(302)设置在靠近所述高压P阱(20)的位置，所述第一P型重掺杂区(301)与所述第一N型重掺杂区(302)的间距为第一距离(D1)，所述第一N型重掺杂区(302)与所述高压P阱(20)的间距为第二距离(D2)；

所述第二高压N阱(40)上间隔设置有第二P型重掺杂区(401)、第二N型重掺杂区(402)，所述第二P型重掺杂区(401)远离所述第二N型重掺杂区(402)的一侧设置有第二浅沟道隔离区(403)，其中，所述第二P型重掺杂区(401)设置在远离所述高压P阱(20)的位置，所述第二N型重掺杂区(402)设置在靠近所述高压P阱(20)的位置，所述第二P型重掺杂区(401)与所述第二N型重掺杂区(402)的间距等于所述第一距离(D1)，所述第二N型重掺杂区(402)与所述高压P阱(20)的间距等于所述第二距离(D2)；

所述第一N型重掺杂区(302)的宽度为第三距离(D3)，所述第二N型重掺杂区(402)的宽度与所述第一N型重掺杂区(302)的宽度相同；

所述第一P型重掺杂区(301)以及所述第一N型重掺杂区(302)利用金属相连接后构成所述双向硅控整流器的阳极(A)，所述第二P型重掺杂区(401)以及所述第二N型重掺杂区(402)利用金属相连接后构成所述双向硅控整流器的阴极(K)。

2.如权利要求1所述的一种双向硅控整流器，其特征在于，所述高压P阱(20)的宽度为第四距离(D4)，所述双向硅控整流器通过调节所述第二距离(D2)或所述第四距离(D4)的大小以调整所述双向硅控整流器回滞效应的触发电压。

3.如权利要求2所述的一种双向硅控整流器，其特征在于，所述触发电压大于高压集成电路工作电压。

4.如权利要求1所述的一种双向硅控整流器，其特征在于，所述高压P阱(20)的宽度为第四距离(D4)，所述双向硅控整流器通过调节所述第一距离(D1)、所述第三距离(D3)以及所述第四距离(D4)的大小以选择所述双向硅控整流器是否进入无回滞模式。

5.如权利要求4所述的一种双向硅控整流器，其特征在于，所述第一距离(D1)的大小范围为0.2um～10um，所述第二距离(D2)的大小范围为0um～5um，所述第三距离(D3)的大小范围为0.4um～10um，所述第四距离(D4)的大小范围为1um～10um。