[发明专利]控制装置以及存储器系统在审
申请号: | 202010231767.0 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN113448424A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 邱良祥;陈育杰 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/3225 | 分类号: | G06F1/3225;G06F1/3296 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 装置 以及 存储器 系统 | ||
1.一种控制装置,适用于控制存储器阵列,其特征在于,包括:
第一周边电路群,耦接于所述存储器阵列,经配置以与所述存储器阵列在待机模式下通过第一电压共同被驱动;以及
第二周边电路群,耦接于所述存储器阵列以及所述第一周边电路群,经配置以通过第二电压被驱动,包括:
输入输出缓充器,耦接于所述第一周边电路群,经配置以接收命令串行,其中所述第一周边电路群在识别出所述命令串行是深度省电执行命令串行时提供控制命令;
解除命令串行译码器,耦接于所述输入输出缓充器,经配置以:
当接收到所述控制命令时,提供具有第一逻辑值的深度省电信号,使所述第二周边电路群依据具有所述第一逻辑值的所述深度省电信号停止提供所述第一电压,并使所述控制装置以及所述存储器阵列进入深度省电模式,并且
当在所述深度省电模式识别出所述命令串行是深度省电解除命令串行时,将所述深度省电信号的所述第一逻辑值转态为第二逻辑值,使所述第二周边电路群依据具有所述第二逻辑值的所述深度省电信号提供所述第一电压,并使所述控制装置以及所述存储器阵列进入所述待机模式。
2.根据权利要求1所述的控制装置,其特征在于,所述第二周边电路群还包括:
电平移位器,耦接于所述第一周边电路群,经配置以对所述控制命令的电压电平进行移位;以及
锁存器,耦接于所述电平移位器以及所述解除命令串行译码器,经配置以对所述控制命令进行锁存,并将所述控制命令提供至所述解除命令串行译码器。
3.根据权利要求1所述的控制装置,其特征在于,所述第二周边电路群还包括:
电压调节电路,耦接于所述存储器阵列、所述第一周边电路群以及所述解除命令串行译码器,经配置以依据具有所述第二逻辑值的所述深度省电信号将所述第二电压调节为第一电压并将所述第一电压提供至所述存储器阵列以及所述第一周边电路群,并且依据具有所述第一逻辑值的所述深度省电信号停止提供所述第一电压。
4.根据权利要求3所述的控制装置,其特征在于,所述电压调节电路包括:
调节器,经配置以依据参考电压将所述第二电压调节为所述第一电压;以及
控制开关,耦接于所述调节器,经配置以依据所述第二逻辑电平致能所述调节器,并依据所述第一逻辑电平禁能所述调节器。
5.根据权利要求4所述的控制装置,其特征在于,所述调节器包括:
误差放大器,所述误差放大器的非反相输入端用以接收所述参考电压;
第一晶体管,所述第一晶体管的源极端用以接收所述第二电压,所述第一晶体管的栅极端耦接于所述误差放大器的输出端,其中所述第一晶体管的漏极端作为所述电压调节电路的输出端;
第一分压电阻,耦接于所述第一晶体管的漏极端与所述误差放大器的反相输入端之间;以及
第二分压电阻,耦接于所述误差放大器的反相输入端之间与参考低电压之间。
6.根据权利要求5所述的控制装置,其特征在于,所述控制开关包括:
反相器,所述反相器的输入端用以接收所述深度省电信号;以及
第二晶体管,所述第二晶体管的源极端用以接收所述第二电压,所述第二晶体管的栅极端耦接于所述反相器的输出端,所述第二晶体管的漏极端耦接于比较器的输出端。
7.根据权利要求3所述的控制装置,其特征在于,所述第一电压的电压值等于所述第二电压的电压值,其中所述电压调节电路包括:
晶体管,所述晶体管的源极端用以接收所述第二电压,所述晶体管的栅极端用以接收所述深度省电信号,所述晶体管的漏极端用以作为所述电压调节电路的输出端。
8.根据权利要求1所述的控制装置,其特征在于,所述第二周边电路群还包括:
第三周边电路群,经配置以在所述待机模式通过所述第二电压被驱动,并且在所述深度省电模式停止被驱动。
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