[发明专利]一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置在审

专利信息
申请号: 202010232449.6 申请日: 2020-03-28
公开(公告)号: CN111276436A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 伍志军 申请(专利权)人: 苏州赛森电子科技有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673
代理公司: 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 代理人: 吴筱娟
地址: 215600 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空镀膜 工艺 中的 硅片 装置
【权利要求书】:

1.一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其特征在于,包括:

主壳体;

主外板,所述主外板固定在所述主壳体的外表面;

隔板,所述隔板设置在所述主壳体之间,并且隔板设有多个,隔板之间用于存放硅片,所述隔板的侧边设有轴槽;

第一连接件,所述第一连接件连接在所述隔板的侧边;

第二连接件,所述第二连接件连接在所述隔板的侧边并与所述第一连接件相接,第一连接件与第二连接件连接形成交叉;

活动轴,所述活动轴连接在所述第一连接件与所述第二连接件的交叉上端,并位于所述轴槽中;

固定轴,所述固定轴连接在所述第一连接件与所述第二连接件的交叉下端,并固定在所述隔板的侧边;

滑块,所述滑块为横向设置并固定在所述隔板的侧边,所述滑块位于所述主壳体中用于隔板滑动。

2.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其中,所述第一连接件与所述第二连接件的交叉上端还设有移动块,所述移动块的中间穿过活动轴,所述移动块的中间横向穿过长轴,每个移动块之间设有第一弹簧,所述第一弹簧套的中间穿过长轴。

3.根据权利要求2所述的一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其中,所述主壳体中间还设有稳定块体,所述稳定块体的上部中穿过长轴,下端设有压块,所述压块为横向设置,压块的底部设有第二弹簧。

4.根据权利要求3所述的一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其中,所述稳定块体的上部分设有上长横块与下长横块,所述上长横块位于所述稳定块体的顶部,所述下长横块位于所述长轴的下方,所述上长横块与所述下长横块中设有滚动轮,所述滚动轮用于稳定移动块滑动。

5.根据权利要求4所述的一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其中,所述主壳体的中心位置处设有齿轮,所述齿轮的两边设有齿杆,所述齿杆与所述压块相连接,所述齿轮的中间设有销轴,所述销轴穿过所述主外板,所述主外板的外表面中间设有轴块,所述销轴穿过所述轴块,所述轴块上设有转柄,所述销轴连接所述转柄。

6.根据权利要求5所述的一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其中,所述转柄中设有扣板,所述扣板的底部呈“T”形状,所述扣板的底端还设有第三弹簧,顶端设有按轴,所述按轴穿过转柄,所述轴块的外圈一周设有多个扣槽,所述扣槽呈“T”形状,用于扣板扣入固定。

7.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其中,所述主壳体的两侧还设有延长机构,所述延长机构具有

副壳体;

副外板,所述副外板的外表面与所述主外板的外表面活动连接,所述副壳体中设有竖向滑动槽,能够在副外板上滑动;

横向滑动槽,所述横向滑动槽位于所述副壳体的上方,用于滑块滑入。

8.根据权利要求7所述的一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其中,所述副壳体中还设有上短横块与下短横块,所述上短横块与所述下短横块之间设有短轴,上短横块与下短横块中还设有滚动轮,用于移动块滑入。

9.根据权利要求8所述的一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置,其中,所述短轴上还设有矫正块,所述矫正块可在短轴上滑动,用于调整短轴与长轴保持同一中心。

10.一种真空镀膜工艺中的硅片的存料装置的使用方法,包括:

翻动延长机构,使延长机构中的副外板与主外板齐平,保持在同一竖直平面上,拨动矫正块,如果短轴与长轴有偏差不在同一中心,使矫正块滑动调整短轴的中心位置,并把短轴与长轴调整到同一中心线上;

转动转柄,使齿轮转动,齿轮带动齿杆上下移动,并使压块朝向齿轮挤压第三弹簧,带动稳定块体移动,稳定快将上长横块与下长横块移动,移动块在上长横块的压力下移动,带动第一连接件与第二连接件转动,第一连接件与第二连接件绕着固定轴转动,活动轴在轴槽中下移,最后驱使隔板移动,利用滑块在主壳体中滑动,并滑动到横向滑动槽中,使各个隔板之间距离等距扩大;

按下按轴,按轴推动扣板的底部扣压在轴块的扣槽中,然后稍微的转动下转柄,使扣板的底部固定在扣槽中,转柄固定不能转动,这时可以在隔板之间放入硅片,放满之后再将转柄松开,反向转动,将隔板缩回,完成操作。

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