[发明专利]热预算自动控制方法及其自动控制系统在审
申请号: | 202010233890.6 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111403308A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 李中华;冷江华;田明 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预算 自动控制 方法 及其 自动控制系统 | ||
1.一种热预算自动控制方法,其用于集成电路应力记忆技术快速热退火(SMT RTA)工艺的热预算控制,其特征在于,包括以下步骤:
S1,根据制程要求设定侧墙厚度目标值、侧墙厚度合格区间及侧墙厚度热预算容忍区间;
S2,量测硅片整片侧墙厚度值,计算片内侧墙厚度平均值及不同侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的偏差;
S3,判断片内侧墙厚度平均值与侧墙厚度目标值的第一偏差是否在侧墙厚度合格区间内,若不在侧墙厚度合格区间内则报废该片硅片;
S4,判断侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的第二偏差是否在热预算容忍区间内;
若该侧墙环状区域的第二偏差在热预算容忍区间内,则保持该侧墙环状区域热预算温度;
若该侧墙环状区域的第二偏差为负,则减少该侧墙环状区域热预算温度;
若该侧墙环状区域的第二偏差为正,则增加该侧墙环状区域热预算温度;
S5,根据调整后的各侧墙环状区域热预算温度执行快速热退火。
2.如权利要求1所述的热预算自动控制方法,其特征在于:侧墙厚度热预算容忍区间是侧墙厚度合格区间的非空真子集。
3.如权利要求1所述的热预算自动控制方法,其特征在于:侧墙厚度目标值是范围是侧墙厚度合格区间范围是侧墙厚度热预算容忍区间范围是
其中,且b>a,X>Y≥1。
4.如权利要求1所述的热预算自动控制方法,其特征在于:第二偏差为负时,该侧墙环状区域减少的热预算温度等于其侧墙厚度相对目标值变小对器件漏电流产生影响所对应的热预算温度;
第二偏差为正时,该侧墙环状区域增加的热预算温度等于其侧墙厚度相对目标值变大对器件漏电流产生影响所对应的热预算温度。
5.一种热预算自动控制系统,其用于集成电路应力记忆技术快速热退火(SMT RTA)工艺的热预算控制,其特征在于,包括:
标准设置模块,其适用于根据制程要求设定侧墙厚度目标值、侧墙厚度合格区间及侧墙厚度热预算容忍区间;
量测计算模块,其适用于量测硅片整片侧墙厚度值,计算片内侧墙厚度平均值及不同侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的偏差;
判断模块,其适用于判断片内侧墙厚度平均值与侧墙厚度目标值的第一偏差是否在侧墙厚度合格区间内,若不在侧墙厚度合格区间内则报废该片硅片;
其适用于判断侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的第二偏差是否在热预算容忍区间内;
控制模块,其适用于若该侧墙环状区域的第二偏差在热预算容忍区间内,则保持该侧墙环状区域热预算温度;
其适用于若该侧墙环状区域的第二偏差为负,则减少该侧墙环状区域热预算温度;
其适用于若该侧墙环状区域的第二偏差为正,则增加该侧墙环状区域热预算温度;
加热模块,其适用于根据调整后的各侧墙环状区域热预算温度执行快速热退火。
6.如权利要求5所述的热预算自动控制系统,其特征在于:标准设置模块设置侧墙厚度热预算容忍区间是侧墙厚度合格区间的非空真子集。
7.如权利要求5所述的热预算自动控制系统,其特征在于:标准设置模块设置侧墙厚度目标值是范围是侧墙厚度合格区间范围是侧墙厚度热预算容忍区间范围是
其中,且b>a,X>Y≥1。
8.如权利要求5所述的热预算自动控制系统,其特征在于:第二偏差为负时,该侧墙环状区域减少的热预算温度等于其侧墙厚度相对目标值变小对器件漏电流产生影响所对应的热预算温度;
第二偏差为正时,该侧墙环状区域增加的热预算温度等于其侧墙厚度相对目标值变大对器件漏电流产生影响所对应的热预算温度。
9.如权利要求5所述的热预算自动控制系统,其特征在于:加热模块是能调节功率同心环状灯组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造