[发明专利]前层缺陷透射样品制取方法在审
| 申请号： | 202010233935.X | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111380877A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘殳平 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N1/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 透射 样品 制取 方法 | ||
1.一种前层缺陷透射样品制取方法，其用于FIB机台，其特征在于，包括以下步骤：
S1，选择保护层，该保护层能保护缺陷位置不被离子束破坏；
S2，在FIB机台的E-Beam下以缺陷点为原点制作第一标记，标记缺陷位置的横纵坐标方向；
S3，在I-Beam模式下找到第一标记，以原点中心对称制作两个第二标记，第二标记位置制作硅凹陷；
S4，在每个第二标记一侧制作第一个第三标记，该第三标记顶点位于第二标记上，且第三标记顶点与缺陷点中心之间大于第一预设距离；
S5，在每个第二标记另一侧对称位置制作第二个第三标记，且该第二个第三标记与第一个第三标记共用顶点；
S6，若不是当层缺陷能选择性的不镀I-Beam，若为当前层缺陷则按预设参数镀I-Beam；
S7，样品打薄完成前层缺陷透射样品。
2.如权利要求1所述前层缺陷透射样品制取方法，其特征在于：所述保护层是钨层或者Teos层。
3.如权利要求1所述前层缺陷透射样品制取方法，其特征在于：所述第一标记是十字型标记。
4.如权利要求3所述前层缺陷透射样品制取方法，其特征在于：所述第二标记是直线段标记。
5.如权利要求4所述前层缺陷透射样品制取方法，其特征在于：所述第三标记是V型标记。
6.如权利要求5述前层缺陷透射样品制取方法，其特征在于：所述第三标记采用淀积硅制作。
7.如权利要求1-6任意一项所述前层缺陷透射样品制取方法，其特征在于：步骤S4中，所述第一预设距离为1μm。
8.如权利要求1-6任意一项所述前层缺陷透射样品制取方法，其特征在于：步骤S6中，所述预设参数范围为1＜X≤2，0＜Y≤1，0＜Z≤1。
9.如权利要求1-6任意一项所述前层缺陷透射样品制取方法，其特征在于：步骤S7中，打薄位置在缺陷中心为原点，第一标记标记的横纵坐标方向上，52度开始打薄电流为0.26nA，z＝3，深度逐渐加深，相邻缺陷位置打薄电流为90pA，z＝3.5。
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