[发明专利]一种触控显示结构

说明书

本发明公开了一种触控显示结构，包括：基板以及依次设置于所述基板上的栅极绝缘层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和像素电极。所述栅极绝缘层包括：栅极金属层。所述第一绝缘层包括：半导体层、源极漏极金属层，且所述半导体层、源极漏极金属层搭接，所述像素电极与所述半导体层相连。所述第二绝缘层包括：第一触控走线金属层。所述第三绝缘层包括：底电极层。所述源极漏极金属层与第一触控走线金属层空间上错开设置，且垂直方向上无交叠；所述第二绝缘层上设置有过孔，所述底电极层经过孔与第一触控走线金属层搭接。以达到节约成本、减小寄生电容以及轻薄化的目的。

技术领域

本发明涉及集成触控领域，尤其涉及一种触控显示结构。

背景技术

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20-30倍，可以大幅提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT-LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。

在现有LCD显示技术上，集成触控功能已被广泛应用于中小尺寸面板。近些年开发的In-cell触控技术利用公共电极BC分割为多个触控单位，复用为触控传感器，虽然需要增加一道金属走线CM与绝缘层VA，但相对于On-cell外挂式触控屏，成本较大。

为了达到集成触控的功能，除了增加金属走线CM及绝缘层VA，往往也需要对平坦化层OC进行增厚，以减少SD/CM走线间的寄生电容。

发明内容

为此，需要提供一种触控显示结构，以达到节约成本、减小寄生电容以及轻薄化的目的。

为实现上述目的，发明人提供了一种触控显示结构，包括：基板以及依次设置于所述基板上的栅极绝缘层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和像素电极；

所述栅极绝缘层包括：栅极金属层；

所述第一绝缘层包括：半导体层、源极漏极金属层，且所述半导体层、源极漏极金属层搭接，所述像素电极与所述半导体层相连；

所述第二绝缘层包括：第一触控走线金属层；

所述第三绝缘层包括：底电极层；

所述源极漏极金属层与第一触控走线金属层空间上错开设置，且垂直方向上无交叠；所述第二绝缘层上设置有过孔，所述底电极层经过孔与第一触控走线金属层搭接。

进一步地，所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层在竖直方向的对应位置均设置有过孔，所述像素电极经过孔与源极漏极金属层搭接，且所述源极漏极金属层与所述半导体层相连。

进一步地，所述第二绝缘层还包括第二触控走线金属层；

所述第一绝缘层竖直方向设置有过孔，所述第二触控走线金属层经过孔与源极漏极金属层区域搭接，且所述源极漏极金属层与所述半导体层相连；

所述第二绝缘层、第三绝缘层在竖直方向的对应位置均设置有过孔，所述像素电极经过孔与所述第二触控走线金属层搭接。

进一步地，所述第二绝缘层还包括第三触控走线金属层；

所述第一绝缘层竖直方向设置有过孔，所述第三触控走线金属层经过孔与所述半导体层搭接，且所述第三触控走线金属层与所述半导体层相连；

所述第二绝缘层、第三绝缘层在竖直方向的对应位置均设置有过孔，所述像素电极经过孔与所述第三触控走线金属层搭接。

进一步地，还包括多个触控单元，所述触控单元包括：基板以及依次设置于所述基板上的栅极绝缘层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和像素电极；

所述栅极绝缘层包括：栅极金属层；