[发明专利]晶体原料盛载装置及晶体生长装置

权利要求书

1.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置内设置有晶体原料盛载装置，所述晶体生长装置在所述晶体原料盛载装置的上方设置有籽晶承载装置；

所述籽晶承载装置的用于放置籽晶的承载面倾斜设置，籽晶的小平面的一端靠近所述承载面的高端设置；

所述晶体原料盛载装置包括依次水平相邻紧靠设置的多个承载单元，多个所述承载单元中包括对应于远离所述籽晶承载装置上的籽晶的小平面的一端设置的第一承载单元；晶体原料盛载装置在盛装晶体的生长原料时，使得原料表面凸起，且凸出位置也即是第一承载单元的位置，其对应着籽晶远离小平面的一端，第一承载单元位置的原料距离籽晶最近；通过晶体原料盛载装置使得原料表面凸起，凸出位置正对着倾斜籽晶的最低处，这样设计的目的是使得凸起处的原料距离籽晶最近；

沿远离所述籽晶的小平面的一端向靠近所述籽晶的小平面的一端的方向，从所述第一承载单元至位于所述第一承载单元靠近所述籽晶的小平面的一侧的承载单元，每个所述承载单元能够承载的原料的高度依次降低，以使所述晶体原料盛载装置盛装原料时，使得原料的表面在所述第一承载单元处凸出。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体原料盛载装置包括基体，所述基体沿水平方向依次设置有顶部开口的多个容腔，每个容腔形成一个承载单元；

沿远离所述籽晶的小平面的一端向靠近所述籽晶的小平面的一端的方向，从所述第一承载单元至位于所述第一承载单元靠近所述籽晶的小平面的一侧的承载单元，每个所述承载单元的侧壁的高度依次降低。

3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一承载单元呈筒型，位于所述第一承载单元靠近所述籽晶的小平面的一侧的承载单元依次环绕所述第一承载单元呈半环形或环形设置。

4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一承载单元的截面为圆形，位于所述第一承载单元靠近所述籽晶的小平面的一侧的承载单元依次环绕所述第一承载单元呈半圆环形或圆环形设置；

位于所述第一承载单元靠近所述籽晶的小平面的一侧的承载单元对应的圆心依次设置在所述第一承载单元的圆心靠近所述籽晶的小平面的一侧，且多个所述承载单元的圆心的连线呈直线设置。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体原料盛载装置还包括多孔板，所述多孔板覆盖在位于所述第一承载单元靠近所述籽晶的小平面的一侧的承载单元上。

6.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述承载面与所述晶体生长装置的主生长梯度所在的方向呈80度~89.5度。

7.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括坩埚和加热机构，所述籽晶承载装置为坩埚盖；

所述加热机构包括感应加热线圈，所述感应加热线圈绕设在所述坩埚的外侧，所述感应加热线圈的两端位于坩埚的同一侧；

所述籽晶的小平面一端靠近所述感应加热线圈的两端所在的方位设置。

8.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述籽晶承载装置包括主体部以及籽晶承载部，所述籽晶承载部与所述主体部通过燕尾槽卡接连接。