[发明专利]一种溴无机盐钙钛矿薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种溴无机盐钙钛矿薄膜，其特征在于，所述的溴无机盐钙钛矿薄膜具有式(1)所示分子式：[PbBr₂-MBr-CsBr-MBr]_n-PbBr₂(1)

其中，MBr为NaBr、LiBr或KBr；n为1～10；

所述的溴无机盐钙钛矿薄膜中CsBr与PbBr₂的摩尔比为2～4：1；所述的溴无机盐钙钛矿薄膜中MBr与PbBr₂的摩尔比为1-6:3。

2.一种根据权利要求1所述的溴无机盐钙钛矿薄膜的制备方法，包括：

(1)将需要沉积溴无机盐钙钛矿薄膜的基材置于真空密闭腔室中；

(2)依次开启PbBr₂、CsBr和MBr的蒸发源，将PbBr₂、CsBr和MBr分层沉积到基材上形成[PbBr₂-MBr-CsBr-MBr]钙钛矿层，循环沉积若干周期，在钙钛矿层的最上层沉积单层PbBr₂，退火处理，形成溴无机盐钙钛矿薄膜。

3.根据权利要求2所述的溴无机盐钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述的真空密闭腔室的温度为≤30℃。

4.根据权利要求2所述的溴无机盐钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述的分层沉积的过程中PbBr₂的蒸发速率为0.1-0.8°A/s；CsBr的蒸发速率为0.1-1.5°A/s；MBr的蒸发速率为0.04-0.3°A/s。

5.根据权利要求2所述的溴无机盐钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述的循环沉积的周期为1-10。

6.根据权利要求2所述的溴无机盐钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述的退火处理的温度为50-150℃；时间为5-60min。

7.一种根据权利要求1所述的溴无机盐钙钛矿薄膜在钙钛矿发光二极管中的应用。

8.一种钙钛矿发光二极管，包括，钙钛矿发光层，其特征在于，所述的钙钛矿发光层为权利要求1所述的溴无机盐钙钛矿薄膜。