[发明专利]紫外LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：

衬底；

位于所述衬底的表面的第一AlN层；

位于所述第一AlN层远离所述衬底一侧的第二AlN层；

位于所述第二AlN层远离所述衬底一侧的N型Al_aGa_1-aN欧姆接触层；

位于所述N型Al_aGa_1-aN欧姆接触层远离所述衬底一侧的Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层；

位于所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层远离所述衬底一侧的P型Al_bGa_1-bN电子阻挡层；

位于所述P型Al_bGa_1-bN电子阻挡层远离所述衬底一侧的P型GaN欧姆接触层；

其中，所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层包括第一发光结构，以及位于所述第一发光结构远离所述衬底一侧的第二发光结构；

所述第一发光结构包括交替生长n个周期的第一Al_xGa_1-xN量子阱层和第一Al_yGa_1-yN量子垒层，n≥1；所述第二发光结构包括一个第二Al_xGa_1-xN量子阱层和一个第二Al_yGa_1-yN量子垒层；

所述第一发光结构中，每个所述第一Al_yGa_1-yN量子垒层掺Si，至少一个所述第一Al_xGa_1-xN量子阱层掺Si，且所述第一Al_xGa_1-xN量子阱层中的Si掺杂浓度低于所述第一Al_yGa_1-yN量子垒层中的Si掺杂浓度；所述第二发光结构中，所述第二Al_xGa_1-xN量子阱层和所述第二Al_yGa_1-yN量子垒层均不掺Si。

2.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一发光结构中，n个第一Al_xGa_1-xN量子阱层中的Si掺杂浓度从靠近衬底的一层到远离衬底的一层递增、递减或恒定。

3.根据权利要求2所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一Al_xGa_1-xN量子阱层的Si掺杂浓度为1E+17cm^-3～1E+19cm^-3。

4.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层包括Al_xGa_1-xN量子阱层和Al_yGa_1-yN量子垒层；

其中，所述Al_xGa_1-xN量子阱层包括所述第一Al_xGa_1-xN量子阱层及所述第二Al_xGa_1-xN量子阱层，所述Al_yGa_1-yN量子垒层包括所述第一Al_yGa_1-yN量子垒层及所述第二Al_yGa_1-yN量子垒层，所述Al_xGa_1-xN量子阱层中的Al组分低于所述Al_yGa_1-yN量子垒层中的Al组分，即0xy≤1。