[发明专利]一种金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构及其制备方法有效
申请号: | 202010236297.7 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111410563B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 肖贵遐 | 申请(专利权)人: | 肖贵遐 |
主分类号: | C04B41/88 | 分类号: | C04B41/88;B28D1/22 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 宣国华 |
地址: | 510510 广东省广州市白云*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属化 隔离 闪烁 陶瓷 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构,包括闪烁陶瓷块,所述闪烁陶瓷块上设有多条纵横交错连通的切槽,所述切槽的两端连通所述闪烁陶瓷块的周面,纵横切槽将闪烁陶瓷块的上表面分割为阵列分布的闪烁陶瓷阵元,其特征在于:所述纵横切槽内填充有用于隔离各所述闪烁陶瓷阵元的烧结型金属化隔离层;所述烧结型金属化隔离层由含有金属、陶瓷玻璃相和有机载体的浆料烧结而成;所述金属为具有X射线以及二次荧光散射隔离能力的高密度金属;所述浆料按常用滤波器用导电浆料来配制。
2.根据权利要求1所述的金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构,其特征在于,所述切槽的深度至少为所述闪烁陶瓷块总厚度的1%。
3.根据权利要求1所述的金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构,其特征在于,所述切槽的宽度为10-300μm。
4.根据权利要求1所述的金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构,其特征在于,所述纵横切槽之间的闪烁陶瓷阵元尺寸为60-3000μm。
5.根据权利要求1所述的金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构,其特征在于,所述烧结型金属化隔离层由含有银、铜、钼、锰、钨或铅高密度金属的浆料烧结而成。
6.一种权利要求1-5任一项所述金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:用切割刀在闪烁陶瓷块的上表面切割出多条纵横交错连通的切槽,切槽的两端连通所述闪烁陶瓷块的周面,切槽将闪烁陶瓷块的上表面分割为阵列分布的闪烁陶瓷阵元,形成闪烁陶瓷阵列;
步骤2:将闪烁陶瓷阵列浸入高密度金属化浆料中,使切槽内填满烧结型高密度金属化浆料;
步骤3:将闪烁陶瓷阵列结构从高密度金属化浆料中取出,擦除闪烁陶瓷阵列结构表面的高密度浆料,并放入加热设备中进行高温烧结以使切槽内的高密度金属化浆料烧结固化,形成高密度烧结型金属化隔离层;
步骤4:高温烧结后取出闪烁陶瓷阵列结构进行冷却;
步骤5:对冷却后的闪烁陶瓷阵列结构的阵列面进行研磨处理,形成具有烧结型金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构。
7.根据权利要求6所述的金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构的制备方法,其特征在于,所述切割刀片为激光切割刀或金刚石切割刀。
8.根据权利要求6所述的金属化隔离的闪烁陶瓷阵列结构的制备方法,其特征在于,所述高温烧结的温度为500℃~1500℃。
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