[发明专利]一种质子束靶点和束线中心位置测量装置及其测量方法有效

专利信息
申请号: 202010236443.6 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN111399026B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 朱军高;颜学庆;林晨 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G01T1/29 分类号: G01T1/29
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 质子 束靶点 中心 位置 测量 装置 及其 测量方法
【权利要求书】:

1.一种质子束靶点和束线中心位置测量装置,其特征在于,所述质子束靶点和束线中心位置测量装置包括:N个四极磁铁、激光器、靶和闪烁屏;其中,N个四极磁铁共轴沿着束线中心线排成一条直线构成N元四极透镜,相邻的四极磁铁之间有距离,N为≥3的自然数;沿着束线中心线的方向,与超强激光作用产生质子束的靶设置在N元四极透镜的前方;在N元四极透镜的后方设置闪烁屏,闪烁屏的探测平面垂直于束线中心线;激光器产生激光脉冲,激光脉冲与靶相互作用产生质子束,沿束线中心线传输;经N元四极透镜聚焦后,在闪烁屏上测量质子束的束斑的水平方向位置为a1,在闪烁屏上测量质子束的束斑的竖直方向位置为a2,N元四极透镜聚焦后到闪烁屏上的放大倍数在水平方向为F1,竖直方向为F3;将N元四极透镜变换到M个四极磁铁组成的M元四极透镜,M<N且M为≥2的自然数,激光器产生超强激光脉冲,激光脉冲与靶相互作用产生质子束,沿束线中心线传输,经M元四极透镜聚焦后,在闪烁屏上测量质子束的束斑的水平方向位置为b1,在闪烁屏上测量质子束的束斑的竖直方向位置为b2,M元四极透镜聚焦后到闪烁屏上的放大倍数在水平方向为F2,竖直方向为F4,根据放大倍数和质子束的位置,分别计算出靶点处产生的质子束相对于束线中心的水平偏移量L1和竖直偏移量L2以及闪烁屏上水平方向束线中心的位置c1和竖直方向束线中心的位置c2;所述靶点处产生的质子束相对于束线中心的水平偏移量L1和竖直偏移量L2以及闪烁屏上水平方向束线中心的位置c1和竖直方向束线中心的位置c2

2.如权利要求1所述的质子束靶点和束线中心位置测量装置,其特征在于,相邻的四极磁铁之间的距离为6~10厘米。

3.如权利要求1所述的质子束靶点和束线中心位置测量装置,其特征在于,将N元四极透镜中的(N-M)个四极磁铁关闭,从而将N元四极透镜变换到M元四极透镜。

4.一种如权利要求1所述的质子束靶点和束线中心位置测量装置的测量方法,其特征在于,所述测量方法包括以下步骤:

1)N个四极磁铁共轴且沿着束线中心线排成一条直线构成N元四极透镜,相邻的四极磁铁之间有距离,N为≥3的自然数,在N元四极透镜的两端分别设置靶和闪烁屏,闪烁屏的探测面垂直于束线中心线;

2)激光器产生激光脉冲,激光脉冲与靶相互作用产生质子束,沿束线中心线传输;经N元四极透镜聚焦后,在闪烁屏上测量质子束的束斑的水平方向位置为a1,在闪烁屏上测量质子束的束斑的竖直方向位置为a2,N元四极透镜聚焦后到闪烁屏上的放大倍数在水平方向为F1,竖直方向为F3

3)将N元四极透镜变换到M元四极透镜,M<N且M为≥2的自然数;

4)激光器产生超强激光脉冲,激光脉冲与靶相互作用产生质子束,沿束线中心线传输,经M元四极透镜聚焦后,在闪烁屏上测量质子束的束斑的水平方向位置为b1,在闪烁屏上测量质子束的束斑的竖直方向位置为b2,M元四极透镜聚焦后到闪烁屏上的放大倍数在水平方向为F2,竖直方向为F4

5)根据放大倍数和质子束的位置,分别计算出靶点处产生的质子束相对于束线中心的水平偏移量L1和竖直偏移量L2以及闪烁屏上水平方向束线中心的位置c1和竖直方向束线中心的位置c2

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