[发明专利]一种单晶硅片制绒剂及利用该制绒剂进行制绒的方法有效

专利信息
申请号: 202010236704.4 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN111394796B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 金炳生;高小云;刘兵 申请(专利权)人: 苏州晶瑞化学股份有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 王丽
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶硅 片制绒剂 利用 制绒剂 进行 方法
【权利要求书】:

1.一种单晶硅片制绒剂,其特征在于,按质量百分计包括以下组分:无机酸10%-25%、氧化剂5%-15%、调控剂0.5%-5%、引发剂0.1%-1%,余量为去离子水;所述调控剂为含有硝酸铜的酸性溶液;所述引发剂为氢氟酸与玻璃组分的反应物;氢氟酸与玻璃组分的用量比为4-10:1-2。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒剂,其特征在于:所述无机酸为浓度为49%的氢氟酸。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒剂,其特征在于:所述氧化剂为浓度为31%的双氧水。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒剂,其特征在于:所述调控剂是由以下含量的组分制备而成:硝酸铜水合物45-55份、浓度为1%的硝酸3-8份、去离子水40-50份。

5.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒剂,其特征在于:所述引发剂是由氢氟酸与玻璃组分在常温下反应制得。

6.利用权利要求1-5任一项所述的制绒剂进行制绒的方法,其特征在于,包括如下步骤:

根据制绒剂处方量制备第一制绒剂,然后将单晶硅片放入该第一制绒剂中,在32℃下浸泡3分钟,进行刻蚀反应;

根据制绒剂处方量制备第二制绒剂,然后将经过第一制绒剂处理的单晶硅片放入第二制绒剂中,在25℃下浸泡3分钟,再次进行刻蚀反应;

将经过第二制绒剂处理的单晶硅片放入硝酸和氢氟酸的混合溶液中超声清洗1分钟,以去除制绒表面的金属覆盖物,然后对除去金属覆盖物的单晶硅片利用去离子水超声清洗,再用高纯氮气吹干,得到具有绒面结构的单晶硅片。

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