[发明专利]铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置和方法有效
申请号: | 202010236832.9 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111416018B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 吴会觉;郭林宝;孟庆波;李冬梅;罗艳红;石将建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭广迅 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 铜锌锡硫 薄膜 材料 化装 方法 | ||
1.一种铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置(1),其包括舱体(11)、石墨容器(12)、红外加热套(13)、计算机控制系统(14);
其中,所述舱体(11)为承压封闭舱体,其上设置有电极法兰(115),且其内部设置有石墨容器(12)和红外加热套(13);
所述石墨容器(12)竖直放置,且所述石墨容器(12)包括位于上段的硒源区(121)、位于中段的气体处理区(122)和位于下段的硒化反应区(123);所述硒源区(121)与所述气体处理区(122)之间以及所述气体处理区(122)与所述硒化反应区(123)之间相互密封连接;所述石墨容器(12)的上段、中段和下段的侧壁中分别设置有热电偶(127);
所述红外加热套(13)围绕所述石墨容器(12)进行设置,且所述红外加热套(13)包括分别对应于所述硒源区(121)、气体处理区(122)和硒化反应区(123)的三段;所述红外加热套(13)的三段中分别设置有加热线(131);
所述电极法兰(115)用于将舱体(11)内的热电偶(127)和加热线(131)连接至舱体(11)外的控温系统(1151);
所述计算机控制系统(14)连接所述控温系统(1151),用于控制舱体(11)内各区的温度;
所述舱体(11)上还设置有可控进气阀(113)、压强计(114)、管道冷阱(116)以及可控出气阀(1161);
所述可控进气阀(113)连接有高压氮气(1131);
所述压强计(114)用于实时监控舱体(11)内的压强;
所述管道冷阱(116)用于连接所述舱体(11)和所述可控出气阀(1161);所述可控出气阀(1161)连接有真空泵(1162);
所述可控进气阀(113)、压强计(114)以及可控出气阀(1161)连接至所述计算机控制系统(14),以实现实时控制舱体(11)内的压强。
2.根据权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置(1),其中,所述舱体(11)上还设置有排空阀(111)和安全阀(112)。
3.根据权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置(1),其中,所述石墨容器(12)的下段设置有导气孔(124),所述导气孔(124)用于连通所述舱体(11)和所述硒化反应区(123)。
4.根据权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置(1),其中,所述硒源区(121)的顶部密封,以及构成气体处理区(122)的管道的上端部相对于所述硒源区(121)的底部形成与硒源区(121)连通的突出部(128)。
5.根据权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置(1),其中,所述石墨容器(12)内壁设置有石英内胆(129),所述石英内胆(129)用于防止硒向所述石墨容器(12)的器壁渗透。
6.根据权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置(1),其中,所述硒源区(121)与所述气体处理区(122)之间以及所述气体处理区(122)与所述硒化反应区(123)之间相互密封连接是通过螺纹和垫片进行连接的。
7.根据权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置(1),其中,所述舱体(11)能承受0.01Pa-1×106Pa的压强。
8.一种铜锌锡硫薄膜材料的硒化方法,其使用权利要求1-7任一项所述的硒化装置(1),包括如下步骤:
将硒源放置于硒源区的环形容器内,同时将待硒化的铜锌锡硫薄膜材料的预制膜放置到硒化反应区;然后,接好加热线和热电偶线,封闭舱体;接着用真空泵将舱体内空气抽净,并且将高压氮气补充进舱体,最后通过计算机控制系统控制舱体内的温度和压强,使得硒源受热形成的硒蒸汽通过气体处理区裂解为小分子硒蒸汽,然后向下进入硒化反应区并与所述预制膜发生硒化反应,进而实现对预制膜的硒化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010236832.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的