[发明专利]晶圆级自动检测方法、设备及系统有效
申请号: | 202010237519.7 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111415878B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 熊道涵 | 申请(专利权)人: | 英特尔产品(成都)有限公司;英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉;刘景峰 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 自动检测 方法 设备 系统 | ||
1.一种自动检测方法,包括:
采集待检测的晶圆的信息,其中,所述晶圆的信息包括第一交叉点的坐标(X0,Y0);
基于所述待检测的晶圆的信息来计算第二交叉点的坐标(Xn,Yn),以生成整个所述晶圆的待检测位置;
基于所述晶圆的待检测位置以获得所述待检测位置所对应的每侧的测量数据;
采集切割工艺所对应的规格限制信息;
基于所述规格限制信息和所述待检测位置所对应的每侧的测量数据来检测所述晶圆上的管芯是否存在缺陷。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述晶圆的信息还包括所述管芯之间在水平方向上的管芯间距X和在垂直方向上的管芯间距Y。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述生成整个所述晶圆的待检测位置的步骤包括以下子步骤:
基于所述管芯间距X、所述管芯间距Y以及所述第一交叉点的坐标(X0,Y0)来计算所述第二交叉点的坐标(Xn,Yn);
基于所述第二交叉点的坐标(Xn,Yn)和所述晶圆的半径来判断所述第二交叉点是否位于所述晶圆上;
在确定所述第二交叉点位于所述晶圆上后,选取所述第二交叉点及其坐标(Xn,Yn);以及
重复上述子步骤,直至确定并验证完所述晶圆上所有的第二交叉点。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,基于所述管芯间距X、所述管芯间距Y以及所述第一交叉点的坐标(X0,Y0)并通过以下公式来计算出所述第二交叉点的坐标(Xn,Yn):
(Xn,Yn)=(X0+a×X,Y0+b×Y),
其中,a,b是整数,并在计算所述第二交叉点的坐标时从整数中逐一取值。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,基于以下公式来判断所述第二交叉点是否位于所述晶圆上:
其中,Dn是从所述第二交叉点到所述晶圆的中心点的距离,R是所述晶圆的半径,并且(Xn,Yn)是所述第二交叉点的坐标。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,
在确定所述第二交叉点位于所述晶圆上之后,确定a+b的值是否为偶数;
如果a+b的值为偶数,则选取此时计算的所述第二交叉点及其坐标(Xn,Yn)。
7.根据权利要求4所述的方法,其中,
在确定所述第二交叉点位于所述晶圆上之后,确定a+b的值是否为奇数;
如果a+b的值为奇数,则选取此时计算的所述第二交叉点及其坐标(Xn,Yn)。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,基于所述待检测的晶圆的信息生成整个所述晶圆的待检测位置的步骤还包括基于所有选取的第二交叉点生成整个所述晶圆的待检测位置。
9.根据权利要求3-7中的任一项所述的方法,其中,所述待检测位置为所选取的第二交叉点,并且所述第二交叉点所对应的每侧的测量数据包括管芯底部测量数据、管芯顶部测量数据、管芯右侧测量数据以及管芯左侧测量数据。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述规格限制信息包括以下各项:顶部的目标值和限制值、底部的目标值和限制值、右侧的目标值和限制值、以及左侧的目标值和限制值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造