[发明专利]一种抗辐射加固的SOI CMOS总剂量辐射性能评估方法

权利要求书

1.一种抗辐射加固的SOI CMOS总剂量辐射性能评估方法，其特征在于，所述方法包括：

对于总剂量加固的SOI CMOS，漏极采用第一电压，源极、体极和前栅电极采用0V；将衬底subsrtate作为背栅，采用-Vn～+Vn～-Vn方向逐步扫描，获取正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线；

获取总剂量辐射时，辐射前后的背栅的电流电压测试曲线；

根据正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线，总剂量辐射前后的背栅的电流电压测试曲线以及预设对应关系，确定所述SOI CMOS的抗总剂量辐射性能；所述预设对应关系包括在预设总剂量下，辐射前后的阈值电压漂移量和正向和负向电学测试阈值电压漂移量；

所述根据正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线，总剂量辐射前后的背栅的电流电压测试曲线以及预设对应关系，确定所述SOI CMOS的抗总剂量辐射性能，包括：

根据所述正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线，计算所述SOI CMOS在正负向时的阈值电压漂移量；

根据所述总剂量辐射前后的背栅的电流电压测试曲线，计算所述SOI CMOS在总剂量辐射前后的阈值电压漂移量；

根据计算得到的所述正负向时的阈值电压漂移量Vtb_testshift1、所述SOI CMOS在总剂量辐射前后的阈值电压漂移量Vtb_irradationshift1以及所述预设对应关系，确定所述SOI CMOS的抗总剂量辐射性能。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在第一模式下，采用1nA/um提取SOI CMOS的阈值电压Vtb_0，所述第一模式为在所述SOI CMOS的漏极采用第一电压，源极、体极和前栅电极采用0V；将衬底subsrtate作为背栅，采用第二电压；辐射SOI CMOS到预设总剂量辐射值时，获取所述SOI CMOS的背栅阈值电压Vtb_n；

在第二模式下，采用1nA/um提取SOI CMOS的阈值电压Vbth1，所述第二模式为在所述SOI CMOS的漏极采用第一电压，源极、体极和前栅电极采用0V；将衬底subsrtate作为背栅，采用第三电压；获取负向扫描时背栅阈值电压Vbth2；所述第三电压为从-Vm～+Vm方向逐步扫描，并在达到Vm后，向负向逐步扫描到-Vm；

根据所述Vtb_0、所述Vtb_n、所述Vbth1和所述Vbth2计算所述SOI CMOS的所述预设对应关系。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述Vtb_0、所述Vtb_n、所述Vbth1和所述Vbth2计算所述SOI CMOS的所述预设对应关系，包括：

根据所述Vtb_0和所述Vtb_n计算总剂量辐射前后的阈值电压漂移量Vtb_irradationshift2；

根据所述Vbth1和所述Vbth2计算正向和负向电学测试阈值电压漂移量Vtb_testshift2；

根据所述Vtb_irradationshift2和所述Vtb_testshift2计算所述预设对应关系。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述Vtb_irradationshift2＝abs(Vtb_0-Vtb_n)。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，Vtb_testshift2＝abs(Vbth1-Vbth2)。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二电压与所述SOI CMOS的击穿电压的差值小于第一阈值。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述Vm与所述SOI CMOS的击穿电压的差值小于第二阈值。