[发明专利]一种H桥驱动输出的开路检测电路有效

专利信息
申请号: 202010237921.5 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN111289883B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 杜露涛;肖利华;李祥;童斌;张学达 申请(专利权)人: 重庆长安新能源汽车科技有限公司
主分类号: G01R31/316 分类号: G01R31/316
代理公司: 重庆华科专利事务所 50123 代理人: 谭小琴
地址: 401133 重庆市江*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 输出 开路 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种H桥驱动输出模块的开路检测电路,包括H桥驱动输出模块,所述H桥驱动输出模块包括左半桥MOS管以及与左半桥MOS管并联的右半桥MOS管,其中,所述左半桥MOS管包括左半桥的上桥MOS管以及与左半桥的上桥MOS管串联的左半桥的下桥MOS管,所述右半桥MOS管包括右半桥的上桥MOS管以及与右半桥的上桥MOS管串联的右半桥的下桥MOS管,其特征在于,所述H桥驱动输出模块还包括控制电路(1)、采集电路(2)、诊断电路(3)、第一电阻(R1)、P-MOS Q21、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第五电阻(R5),所述控制电路(1)分别与所述左半桥的上桥MOS管、所述左半桥的下桥MOS管、所述右半桥的上桥MOS管以及所述右半桥的下桥MOS管电连接,用于控制MOS管的断开与闭合;

所述P-MOS Q21的栅极与控制电路(1)连接,P-MOS Q21的源极经第一电阻(R1)与左半桥的上桥MOS管的源极连接,P-MOS Q21的漏极与左半桥的上桥MOS管的漏极连接;

当所述控制电路(1)控制左半桥的上桥MOS管、左半桥的下桥MOS管、右半桥的上桥MOS管以及右半桥的下桥MOS管保持断开时,电源电压流经第一电阻(R1)与P-MOS Q21后,流经至与H桥驱动输出模块电连接的负载;

所述左半桥的上桥MOS管与左半桥的下桥MOS管的连接点经第二电阻(R2)、第三电阻(R3)后接地,第二电阻(R2)和第三电阻(R3)的连接点与采集电路(2)连接;

所述右半桥的上桥MOS管与右半桥的下桥MOS管的连接点经第四电阻(R4)、第五电阻(R5)后接地,第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的连接点与采集电路(2)连接;

通过所述采集电路(2)分别采集经第四电阻(R4)和第五电阻(R5)分压后的电压值U2,以及采集经第二电阻(R2)、第三电阻(R3)分压后的电压值U1,将采集到的所述U1和U2发送至所述诊断电路(3)作差,并将作差的绝对差值与预设差值进行比较;

若所述绝对差值小于或等于所述预设差值,则判断H桥驱动输出模块未开路;若所述绝对差值大于所述预设差值,则判断H桥驱动输出模块开路。

2.根据权利要求1所述的H桥驱动输出模块的开路检测电路,其特征在于, 在所述第三电阻(R3)上并联有第一电容(C1)并与所述第二电阻(R2)串联,在所述第五电阻(R5)上并联有第二电容(C2)并与所述第四电阻(R4)串联,为所述采集电路(2)进行分压与滤波。

3.根据权利要求1或2所述的H桥驱动输出模块的开路检测电路,其特征在于,所述左半桥的上桥MOS管采用P-MOS Q11,所述左半桥的下桥MOS管采用N-MOS Q12,所述右半桥的上桥MOS管采用P-MOS Q13,所述右半桥的下桥MOS管采用N-MOS Q14。

4.根据权利要求3所述的H桥驱动输出模块的开路检测电路,其特征在于,为所述H桥驱动输出模块供电的电源为铅酸电池。

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