[发明专利]一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体，包括CVD金刚石晶体、增透膜和反射膜，其特征在于：所述增透膜镀在CVD金刚石晶体的前表面，所述反射膜镀在CVD金刚石晶体的后表面，所述增透膜由氟化镁薄膜、二氧化铪薄膜和二氧化钛薄膜叠加构成，所述反射膜，其按质量分数包括二氧化钛粉体30-40份、三氧化二铝粉体5-8份、光学环氧树脂胶30-35份、增白剂2-3份和助剂8-12份；

所述反射膜由以下方法制得：将相应重量的二氧化钛粉体和三氧化二铝粉体加入搅拌罐中进行混合，搅拌速度为80-100rpm，搅拌时间为20-30min，然后将相应重量的光学环氧树脂胶、增白剂和助剂加入搅拌罐内，搅拌速度为120-150rpm，搅拌时间为50-60min，得混合料，最后将混合料置于压膜板上，压延成型，即可得反射膜。

2.根据权利要求1所述的一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体，其特征在于：所述增透膜从靠近CVD金刚石晶体的一侧到外依次为氟化镁薄膜、二氧化铪薄膜和二氧化钛薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体，其特征在于：所述增白剂为PF增白剂。

4.根据权利要求1所述的一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体，其特征在于：所述助剂为乙醇。

5.一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：将CVD金刚石置于CVD化学气相沉积炉内，在800摄氏度高温、甲烷和氢气环境中沉积形成CVD金刚石晶体；

S2：将步骤S1中的CVD金刚石晶体用激光切割机切割成通用尺寸的晶块，在150keV氮离子束下进行吸收剂量为4000戈瑞的辐照，然后在400、800、1000摄氏度高温下分别进行2小时退火以除去多余杂质；

S3：对步骤S2中去除杂质后的晶块进行精细研磨，前后3*3mm表面达到Ra10nm的表面粗糙度和1个光圈的平行度；

S4：将步骤S3中精细研磨后的晶块前表面镀上增透膜，后表面镀上反射膜，即可得氮掺杂CVD金刚石激光晶体。

6.根据权利要求5所述的一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，晶块的尺寸规格为10*3*3mm。

7.根据权利要求5所述的一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，晶块前表面镀532nm增透膜，后表面镀97％反射膜。