[发明专利]一种场效应管晶圆的表面处理和分立成品元件或大功率模块电路中单元电路加工方法在审
| 申请号： | 202010238250.4 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111415873A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 夏乾华 | 申请（专利权）人： | 鑫金微半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 管晶圆 表面 处理 分立 成品 元件 大功率 模块 电路 单元 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率场效应管晶圆的表面处理，其特征在于，
传统场效应管晶圆正面加镀银层处理。
2.一种大功率场效应管分立成品元件或大功率SiP模块电路中场效应管单元电路加工方法，其特征在于,
通过在传统场效应管晶圆正面加镀银层处理,利用锡膏将场效应管晶圆正面的源极Source和金属导电铜带（片）间,金属导电铜带（片）和框架(Frame)的源极引线接点间用高温进行锡焊接。
3.根据权利要求2，一种大功率场效应管分立成品元件或大功率SiP模块电路中场效应管单元电路加工方法，其特征在于，
场效应管晶圆源极Source和金属导电铜带（片）间,金属导电铜带（片）和框架(Frame)的源极引线接点间用高温进行锡焊接。
4.根据权利要求2，一种大功率场效应管分立成品元件或大功率SiP模块电路中场效应管单元电路加工方法，其特征在于，
连接场效应管晶圆源极和框架源极引线接点间是用金属铜带（片）进行连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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