[发明专利]一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法

权利要求书

1.一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，包括：

在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；

对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；

对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述在碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层，包括：

在所述碳化硅外延片正面淀积第一介质层；

所述第一介质层形成后预设时间后，在所述碳化硅外延片背面淀积第二介质层；

所述第一介质层形成后预设时间后，在所述碳化硅外延片正面淀积第三介质层。

3.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层，包括：

在所述碳化硅外延片正面第三介质层外涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行图形化处理；

以图形化后的光刻胶作为掩膜对所述碳化硅外延片正面进行刻蚀，并去除光刻胶；

在所述碳化硅外延片正面涂覆光刻胶；

对所述碳化硅外延片背面的第二介质层进行湿法腐蚀。

4.根据权利要求3所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述去除背面的介质层之后，还包括：

去除碳化硅外延片正面的光刻胶。

5.根据权利要求3所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入，包括：

确定离子注入剂量和离子注入温度；

基于所述剂量和温度对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。

6.根据权利要求5所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入之后，还包括：

去除所述第三介质层和第一介质层。

7.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述淀积采用等离子体增强化学气相沉积方法或低压力化学气相沉积方法。

8.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层均为二氧化硅、氮化硅、多晶硅中的一种或至少两种的组合。

9.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为0.2μm～10μm；

所述第二介质层的厚度为0.2μm～10μm；

所述第三介质层的厚度为0.2μm～6μm。

10.根据权利要求5所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述离子注入剂量为1E11cm^-2～1E18cm^-2；

所述离子注入温度为25℃～600℃。

11.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，所述在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层之前，包括：

采用RCA标准清洗方法对所述碳化硅外延片进行清洗，以去除碳化硅外延片表面的金属、有机物和污染物。

12.一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片，其特征在于，包括：碳化硅外延片正面和碳化硅外延片背面；

所述碳化硅外延片正面和碳化硅外延片背面分别按照如权利要求1-9任一项所述的处理方法得到。