[发明专利]一种高纯度硼-10酸痕量杂质去除方法在审

专利信息
申请号: 202010238940.X 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN111232998A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 周鸿刚;李长虹;王明辉;韩启超;魏娇 申请(专利权)人: 辽宁鸿昊化学工业股份有限公司
主分类号: C01B35/10 分类号: C01B35/10
代理公司: 长沙睿翔专利代理事务所(普通合伙) 43237 代理人: 周松华;孙建霞
地址: 111003 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 纯度 10 痕量 杂质 去除 方法
【权利要求书】:

1.一种高纯度硼-10酸痕量杂质去除方法,其特征在于按照以下步骤进行:

(1)在一定温度下,按照体积比A1:B1=1:2~8配制溶液C;

(2)在一定温度下,用溶液C煮洗硼-10酸,将硼-10酸中的离子杂质转移至溶液C中;

(3)冷却溶液C至室温,使溶剂A1从C中分离;

(4)将分离出的溶剂A1通过离子交换树脂除去离子杂质;

(5)按上述步骤(2)~步骤(4)反复操作,直至硼-10酸中的离子杂质含量≦1ppm。

2.根据权利要求1所述的一种高纯度硼-10酸痕量杂质去除方法,其特征在于所述的步骤(1)温度为70-80℃。

3.根据权利要求1所述的一种高纯度硼-10酸痕量杂质去除方法,其特征在于所述的溶剂A1具有弱酸性,溶剂B1具有弱碱性;A1和B1的互溶性随温度的升高而增强。

4.根据权利要求3所述的一种高纯度硼-10酸痕量杂质去除方法,其特征在于所述的溶剂A1为饱和碳酸水溶液,溶剂B1为纯异丁醇。

5.根据权利要求1所述的一种高纯度硼-10酸痕量杂质去除方法,其特征在于所述的步骤(2)温度为80~100℃。

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