[发明专利]一种分离栅MOSFET的制作方法

权利要求书

1.一种分离栅MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在具有第一导电类型的衬底上形成具有第一导电类型的外延层，所述外延层的上表面为第一主面，所述衬底的下表面为第二主面；

步骤二、在所述第一主面上淀积第一氧化层；

步骤三、刻蚀所述第一氧化层及外延层，形成从所述第一主面延伸至其内部的沟槽；

步骤四、去除所述第一氧化层；

步骤五、在所述沟槽的侧壁和底部形成第二氧化层；

步骤六、在由所述第二氧化层形成的沟槽内沉积多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻，形成分离栅多晶硅；

步骤七、在所述分离栅多晶硅上方形成多晶硅间隔离氧化层；

步骤八、在由所述第二氧化层和多晶硅间隔离氧化层形成的沟槽内形成氮化物层；

步骤九、在由所述氮化物层形成的沟槽内沉积多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻，形成牺牲多晶硅；

步骤十、去除位于所述牺牲多晶硅上方的所述氮化物层，所述牺牲多晶硅与保留的所述氮化物层形成掩膜结构；

步骤十一、以所述掩膜结构作为蚀刻掩膜，去除多晶硅间隔离氧化层上方的所述第二氧化层；

步骤十二、以湿法腐蚀方式去除所述氮化物层，以剥离所述牺牲多晶硅；

步骤十三、在所述沟槽内淀积栅氧化层；

步骤十四、在由所述栅氧化层形成的沟槽内沉积多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻，形成栅极多晶硅。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤七具体为：以高密度等离子体方式在所述沟槽内淀积氧化层，在所述分离栅多晶硅上方形成多晶硅间隔离氧化层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤七具体为：以热氧化方式在所述沟槽内生长氧化层，在所述分离栅多晶硅上方形成多晶硅间隔离氧化层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述热氧化方式为低温湿法氧化方式，反应温度小于850℃。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤十之后，步骤十一之前，还包括：去除位于第一主面上的第二氧化层，以使所述第一主面外露。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述外延层中形成有第二导电类型的阱区，所述栅极多晶硅穿过所述阱区，所述栅极多晶硅从侧面覆盖所述阱区并用于在所述阱区侧面形成沟道；

在所述阱区中形成第一导电类型的源区；

在所述第二主面形成漏极金属。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述源区上方形成绝缘介质层；

对所述绝缘介质层进行刻蚀以形成接触孔，其中穿通源区的接触孔延伸至阱区内；

在所述绝缘介质层上及接触孔内淀积金属层，对金属层进行刻蚀，得到源极金属。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，还包括：

对所述金属层进行刻蚀，得到栅极金属，所述接触孔还包括栅极多晶硅接触孔和分离栅多晶硅接触孔，所述栅极金属通过栅极多晶硅接触孔与栅极多晶硅电连接，所述源极金属通过分离栅多晶硅接触孔与分离栅多晶硅电连接。