[发明专利]用于半导体层的缺陷检测方法及系统

权利要求书

1.一种用于半导体层的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：

提供所述半导体层；

针对所述半导体层采集第一激发波长对应的第一光致发光强度值I1；

针对所述半导体层采集第二激发波长对应的第二光致发光强度值I2；

构建关于I1和I2的函数F；

确定函数F的值，以指示所述半导体层的缺陷水平。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一激发波长是所述半导体层的带边激发波长，所述第二激发波长是与所述半导体层中的缺陷能级相对应的激发波长。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一激发波长在350nm至410nm之间或者是1140nm。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二激发波长范围在410nm至800nm之间。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一激发波长是380nm，所述第二激发波长是520nm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，函数F具有如下形式之一：

F＝I1/I2；

F＝k×I1/I2其中k是一个常量；以及

F＝I1²/I2²。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

将函数F的值与预定阈值进行比较；以及

根据比较的结果确定用于修复所述半导体层中的缺陷的修复条件。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：用包含波长范围的光束照射所述半导体层，以确定所述第一激发波长和所述第二激发波长。

9.一种用于半导体层的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：

提供所述半导体层；

针对所述半导体层确定N个检测位置，其中N是整数并且N≥2；

针对所述N个检测位置中的每个检测位置，采集第一激发波长对应的第一光致发光强度值，由此得到第一光致发光强度值集I1N，I1N为1×N矩阵，I1N的第i个元素表示为I1N(i)，I1N(i)表示第i个检测位置的第一光致发光强度值,i是整数且1≤i≤N；

针对所述N个检测位置中的每个检测位置，采集第二激发波长对应的第二光致发光强度值，由此得到第二光致发光强度值集I2N,I2N为1×N矩阵,I2N的第i个元素表示为I2N(i)，I2N(i)表示第i个检测位置的第二光致发光强度值；

构建关于第一光致发光强度值集I1N和第二光致发光强度值集I2N的函数FN，FN为1×N矩阵,FN的第i个元素表示为FN(i),FN(i)是关于I1N(i)和I2N(i)的函数；

确定函数FN的每个元素的值，以指示相应检测位置的缺陷水平，从而得到所述半导体层的缺陷水平；以及

在所述半导体层的缺陷水平高于阈值水平时，确定用于修复所述半导体层的缺陷的修复条件。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

将函数FN的每个元素与预定阈值进行比较；

确定函数FN中大于所述预定阈值的元素的数量；以及

根据所述数量确定所述半导体层的缺陷水平是否高于阈值水平。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

构建所述半导体层的缺陷函数G，所述缺陷函数G是关于FN的函数；

将所述缺陷函数G的值与预定阈值进行比较；以及

根据所述比较确定所述半导体层的缺陷水平是否高于阈值水平。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述缺陷函数G所述函数FN的全部元素的几何平均或算术平均。