[发明专利]抗辐照双极器件的制备方法

权利要求书

1.抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

1)在N型衬底(101)上生成厚牺牲层(102)；

2)厚牺牲层(102)上光刻形成基极注入窗口，并由此窗口离子注入或扩散形成基区(103)；

3)掩膜下光刻出发射极注入窗口，由此离子注入或扩散形成发射区(104)；

4)掩膜下光刻并离子注入形成P+欧姆接触区(106)，至此形成上表面覆盖有掩膜和厚牺牲氧化层的半导体区；

5)去除掩膜和厚牺牲氧化层，在半导体区的上表面生长一厚度20～80nm的薄层抗辐射二氧化硅层(105)；

6)在发射区和间隔区的界面上方，沿二氧化硅层(105)的上表面设置二氧化硅介质层(108)和导电场板(107)，导电场板(107)嵌入二氧化硅介质层(108)且平行于二氧化硅层(105)的上表面，所述间隔区为发射区和基区P+欧姆接触区(106)之间的基区；

7)分别设置连接基区、发射区(104)和P+欧姆接触区(106)的电极；

在步骤6)或步骤7)中，使导电场板(107)与发射区(104)形成导电连接。

2.如权利要求1所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于，所述步骤6)中，导电场板(107)在半导体区上表面的投影与P+欧姆接触区(106)、间隔区和发射区(104)皆有重叠部分。

3.如权利要求1或2所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于，所述步骤6)中：首先刻蚀形成发射极孔(112)，然后制备形成导电场板并使导电场板与发射区(104)形成电连接。

4.如权利要求1或2所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于，所述步骤6)为：首先在二氧化硅层(105)的上表面覆盖二氧化硅介质层(108)，然后在二氧化硅层(105)上刻蚀出导电场板位置槽和穿透薄层抗辐射二氧化硅层(105)的通孔，在通孔和导电场板位置槽内沉积金属，形成与发射区(104)构成导电连接的导电场板，所述导电场板位置槽位于发射区和间隔区的界面上方，所述间隔区为发射区和基区P+欧姆接触区(106)之间的基区。

5.如权利要求1或2所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于，所述步骤6)为：

在发射区和间隔区的界面上方，沿二氧化硅层(105)的上表面设置一导电场板(107)，所述间隔区为发射区和基区P+欧姆接触区(106)之间的基区，然后在设置有导电场板(107)的二氧化硅层(105)的上表面覆盖二氧化硅介质层(108)。